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公开(公告)号：CN1254866C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200310124348.3
申请日：2003-12-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/82
CPC分类号： H01L28/91 , H01L21/022 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/02255 , H01L21/3144 , H01L21/32105 , H01L21/3211 , H01L27/10852 , H01L28/55
摘要： 本发明是关于一种用于半导体装置中的电容器的制造方法，用以改善电容值并同时增强漏电特性和击穿电压特性。为此，用于制造半导体装置中的电容器的方法，包含下列步骤：(a)在基板上形成作为底部电极的导电硅层；(b)氮化处理导电硅层；(c)氧化处理已氮化的导电硅层；(d)在氧化层的表面上形成氮化硅层；(e)在氮化硅层上形成介电层；及(f)在介电层上形成顶部电极。
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公开(公告)号：CN1329975C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03122556.X
申请日：2003-04-18
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/02247 , H01L21/02263 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3144 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L21/31683 , H01L21/31691 , H01L28/56 , H01L28/90
摘要： 本发明涉及半导体器件中电容器的制造方法，尤其涉及可稳定地在下层电极上形成氮化物层，并获得稳定的电容量和漏电流特性的改善的电容器的制造方法。本发明用于制造电容器的方法包括步骤：在衬底上形成下层电极；在下层电极上形成第一介电薄层；在第一介电薄层上，藉沉积Al2O3层，形成第二介电薄层；在第二介电薄层上利用高k值介电材料形成第三介电薄层；以及在第三介电薄层上形成上层电极。
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公开(公告)号：CN1272852C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN03110481.9
申请日：2003-04-16
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/28 , H01L21/31
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/31604 , H01L21/3211 , H01L28/56
摘要： 本发明提供一种电容器及其制造方法，其应用于防止下电极在后续热处理工艺中被氧化。此电容器包括：一下电极；形成于该下电极上的氧化阻挡层，其中该氧化阻挡层至少由两个氮化层所形成；一形成于该氧化阻挡层上的介电层；以及，一形成于该介电质上的上电极。
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公开(公告)号：CN1467853A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03110481.9
申请日：2003-04-16
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/28 , H01L21/31
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/31604 , H01L21/3211 , H01L28/56
摘要： 本发明提供一种电容器及其制造方法，其应用于防止下电极在后续热处理工艺中被氧化。此电容器包括：一下电极；形成于该下电极上的氧化阻挡层，其中该氧化阻挡层至少由两个氮化层所形成；一形成于该氧化阻挡层上的介电层；以及，一形成于该介电质上的上电极。
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公开(公告)号：CN100463186C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510118089.2
申请日：2005-10-25
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92 , H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/314 , H01L21/02 , H01L21/00
CPC分类号： H01L28/56 , H01L21/02178 , H01L21/02192 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/91
摘要： 本发明公开一种用于半导体元件的电容器及该电容器的制造方法，所述电容器包括：形成在半导体衬底的预定下结构上的下电极；形成在下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在氮氧化铝膜上，且具有高于氮氧化铝膜的介电常数的氮氧化钇膜；及形成在氮氧化钇膜上的上电极。根据本发明，即使当半导体元件的集成度增加时，电容器的表面积会减少，但是藉由使用低漏电流特性的AlON膜和高电容特性的YON膜的双层膜，当作电容器的电介质膜，也可以得到具有高电容和低漏电流特性的电容器。
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公开(公告)号：CN1794456A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510118089.2
申请日：2005-10-25
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92 , H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/314 , H01L21/02 , H01L21/00
CPC分类号： H01L28/56 , H01L21/02178 , H01L21/02192 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/91
摘要： 本发明公开一种用于半导体元件的电容器及该电容器的制造方法，所述电容器包括：形成在半导体衬底的预定下结构上的下电极；形成在下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在氮氧化铝膜上，且具有高于氮氧化铝膜的介电常数的氮氧化钇膜；及形成在氮氧化钇膜上的上电极。根据本发明，即使当半导体元件的集成度增加时，电容器的表面积会减少，但是藉由使用低漏电流特性的AlON膜和高电容特性的YON膜的双层膜，当作电容器的电介质膜，也可以得到具有高电容和低漏电流特性的电容器。
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公开(公告)号：CN1512562A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310124348.3
申请日：2003-12-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： H01L28/91 , H01L21/022 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/02255 , H01L21/3144 , H01L21/32105 , H01L21/3211 , H01L27/10852 , H01L28/55
摘要： 本发明是关于一种用于半导体装置中的电容器的制造方法，用以改善电容值并同时增强漏电特性和击穿电压特性。为此，用于制造半导体装置中的电容器的方法，包含下列步骤：(a)在基板上形成作为底部电极的导电硅层；(b)氮化处理导电硅层；(c)氧化处理已氮化的导电硅层；(d)在氧化层的表面上形成氮化硅层；(e)在氮化硅层上形成介电层；及(f)在介电层上形成顶部电极。
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公开(公告)号：CN1467823A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03122556.X
申请日：2003-04-18
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/02247 , H01L21/02263 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3144 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L21/31683 , H01L21/31691 , H01L28/56 , H01L28/90
摘要： 本发明涉及半导体器件中电容器的制造方法，尤其涉及可稳定地在下层电极上形成氮化物层，并获得稳定的电容量和漏电流特性的改善的电容器的制造方法。本发明用于制造电容器的方法包括步骤：在衬底上形成下层电极；在下层电极上形成氮化物基第一介电薄层；在氮化物基第一介电薄层上，藉沉积Al2O3层，形成第二介电薄层；在第二介电薄层上形成第三介电薄层；以及在第三介电薄层上形成上层电极。
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