发明授权
- 专利标题： 电容耦合型等离子体处理装置
- 专利标题（英）： Capacitive coupling plasma processing apparatus
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申请号： CN200510127554.9申请日： 2005-12-05
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公开(公告)号： CN100539000C公开(公告)日： 2009-09-09
- 发明人: 桧森慎司 , 今井范章 , 堀口克己 , 根津崇明 , 松山昇一郎 , 松丸弘树 , 速水利泰 , 永关一也 , 酒井伊都子 , 大岩德久 , 杉安良和
- 申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社,株式会社东芝
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 2004-350998 2004.12.03 JP; 2005-330251 2005.11.15 JP
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/3065 ; H01L21/31 ; H01L21/20 ; C23C16/50 ; C23C14/34 ; C23F4/00 ; H01J37/32 ; H05H1/46
摘要：
本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。
公开/授权文献
- CN1783430A 电容耦合型等离子体处理装置 公开/授权日：2006-06-07