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发明公开
CN101335193A 具有解耦等离子体控制的混合蚀刻室 无效 - 撤回

具有解耦等离子体控制的混合蚀刻室
摘要：
一种具有解耦等离子体控制的混合蚀刻室和用于改善对等离子体参数的控制的方法。该等离子体室包括向等离子体电容耦合RF能量的双频偏压源和向等离子体电感耦合RF能量的单频或双频源。可以调制该电感源以改善蚀刻的均匀性。
摘要（英）：

A dielectric etch chamber and method for improved control of plasma parameters. The plasma chamber comprises dual-frequency bias source that capacitively couples the RF energy to the plasma, and a single or dual frequency source that inductively couples the RF energy to the plasma. The inductive source may be modulated for improved etch uniformity.

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