发明公开
CN101335193A 具有解耦等离子体控制的混合蚀刻室
无效 - 撤回
- 专利标题: 具有解耦等离子体控制的混合蚀刻室
- 专利标题(英): Hybrid etch chamber with decoupled plasma controls
-
申请号: CN200810130616.5申请日: 2008-06-25
-
公开(公告)号: CN101335193A公开(公告)日: 2008-12-31
- 发明人: J·G·扬 , M·巴恩斯 , T·布卢克
- 申请人: 因特瓦克公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 因特瓦克公司
- 当前专利权人: 因特瓦克公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 陈松涛; 王英
- 优先权: 11/749,069 2007.06.26 US
- 主分类号: H01L21/00
- IPC分类号: H01L21/00 ; H01L21/311 ; H01J37/32 ; H05H1/00 ; H05H1/46 ; H05H1/02 ; C23F4/00
摘要:
一种具有解耦等离子体控制的混合蚀刻室和用于改善对等离子体参数的控制的方法。该等离子体室包括向等离子体电容耦合RF能量的双频偏压源和向等离子体电感耦合RF能量的单频或双频源。可以调制该电感源以改善蚀刻的均匀性。