Invention Publication
CN101354755A 半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and method for manufacturing the same
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Application No.: CN200810133477.1Application Date: 2008-07-25
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Publication No.: CN101354755APublication Date: 2009-01-28
- Inventor: 山崎舜平 , 小山润 , 加藤清 , 高缘贵章 , 八洼裕人 , 柳泽真 , 大谷久 , 杉山荣二 , 堀越望
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 秦晨
- Priority: 2007-195497 2007.07.27 JP
- Main IPC: G06K19/077
- IPC: G06K19/077 ; H01L25/00 ; H01L23/31 ; H01L23/60

Abstract:
一种能够进行无线通信的半导体器件,其具有在对外力、尤其是压紧力的抵抗力方面的高可靠性,并且能在不妨碍电波接收的情况下防止集成电路中的静电放电。该半导体器件包括连接到集成电路的芯片上天线和在无接触的情况下将包括在接收的电波中的信号或功率发送到芯片上天线的增益天线。在该半导体器件中,集成电路和芯片上天线插在通过用树脂填充纤维体形成的一对结构体之间。结构体中的一个设置在芯片上天线与增益天线之间。具有约为106~1014Ω/cm2的表面电阻值的导电膜在每个结构体的至少一个表面上形成。
Public/Granted literature
- CN101354755B 半导体器件及其制造方法 Public/Granted day:2013-07-31
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