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专利标题：
对CMOS图像传感器的HfO
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申请号： CN201310157166.X申请日： 2013-04-28
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公开(公告)号： CN103811504B公开(公告)日： 2017-07-11
- 发明人: 粘骏楠 , 张世杰 , 郑志成 , 张简旭珂 , 洪育德
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 孙征
- 优先权： 13/666,783 20121101 US
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L21/316
摘要：
本发明公开了对CMOS图像传感器的HfO2/SiO2‑Si界面的改进。一种半导体器件包括衬底和设置在衬底上的抗反射涂层，该抗反射涂层和衬底形成界面，在该界面处的碳浓度和氯浓度小于氧浓度。
公开/授权文献
- CN103811504A 对CMOS图像传感器的HfO2/SiO2-Si界面的改进 公开/授权日：2014-05-21
IPC分类:
