公开(公告)号：CN107464765B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201611001722.4

申请日：2016-11-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈科维 ,  蔡俊雄 ,  杨怀德 ,  张简旭珂 ,  王英郎 ,  方子韦

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 一种晶圆处理装置，包含压盘、腔室、蚀刻气体供应器与倾斜机构。腔室具有至少一孔口至少部分面向压盘。蚀刻气体供应器流体连接腔室。倾斜机构耦合压盘，以容许压盘具有至少一第一自由度，从而相对腔室的孔口倾斜。

公开(公告)号：CN111261585A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911215056.8

申请日：2019-12-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 粘耀仁 ,  张简旭珂 ,  彭郁仁 ,  梁耀祥 ,  王廷君

IPC分类号： H01L21/768 ,  C25D7/12 ,  C25D21/14

摘要： 用于执行电化学镀(ECP)工艺的方法包括使衬底的表面与包含要沉积的金属离子的镀液接触，将金属电镀在衬底的表面上，随着ECP工艺的进行而原位监测流过浸入镀液中的阳极和衬底之间的镀液的镀电流，以及响应于所述镀电流低于临界镀电流而调节所述镀液的组分，从而防止在衬底上方的所述金属化层的多条导线中具有最高线端密度的导线的子集中形成空隙。本发明的实施例还提供了电化学镀系统和形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN110783410A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910694119.6

申请日：2019-07-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴家扬 ,  张简旭珂 ,  王廷君 ,  游咏晞

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有源极/漏极和栅极的晶体管。半导体器件也包括用于晶体管的导电接触件。导电接触件提供至晶体管的源极/漏极或栅极的电连接。导电接触件包括多个阻挡层。阻挡层具有彼此不同的深度。根据本申请的实施例，还提供了另一种半导体器件以及一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN105789278B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201510450134.8

申请日：2015-07-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张简旭珂 ,  郑志成 ,  吴志楠 ,  林俊泽 ,  王廷君

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 提供一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括衬底和从衬底延伸的鳍结构。FinFET器件结构还包括形成在衬底上的隔离结构。鳍结构具有顶部和底部，并且底部嵌入隔离结构中。FinFET器件结构还包括形成在鳍结构的顶部上的保护层。界面位于保护层与鳍结构的顶部之间，并且界面具有在从大约0.1nm至大约2.0nm的范围内的粗糙度。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构的鳍上的保护层。

公开(公告)号：CN106409749B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610071466.X

申请日：2016-02-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林加明 ,  张简旭珂 ,  林俊泽 ,  王英郎 ,  林玮耿 ,  刘全璞

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L29/0653 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/785

摘要： 本发明提供一种半导体器件的沟槽结构，包括衬底、隔离结构和衬层。衬底中具有沟槽。隔离结构设置在沟槽中。衬层设置在衬底和隔离结构之间。衬层包括氮，并且衬层在空间上具有不同的氮浓度。本发明还提供了一种制造半导体器件的沟槽结构的方法。

公开(公告)号：CN109148358A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201711024611.X

申请日：2017-10-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴中文 ,  邱建文 ,  陈建全 ,  张简旭珂

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/5283

摘要： 半导体装置结构的制造方法，包括在第一导电结构以及第二导电结构上形成介电层。此方法亦包括沉积共形层于介电层中的第一通孔及第二通孔中。此方法还包括去除第二通孔中的共形层。此介电层仍被第一通孔中的共形层覆盖。此外，此方法包括蚀刻第一通孔中的共形层与介电层直到第一通孔及第二通孔中分别露出第一导电结构与第二导电结构。此方法亦包括形成第三导电结构于第一通孔中且形成第四导电结构于第二通孔中。

公开(公告)号：CN104934451B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201410222357.4

申请日：2014-05-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 简荣亮 ,  林哲民 ,  张简旭珂 ,  郑志成 ,  黄智睦

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供了一种或多种图像传感器和用于形成这些图像传感器的技术。一种图像传感器包括配置为检测光的光电二极管。该图像传感器包括校准区域，将该校准区域配置为检测用于图像再现的色彩电平，诸如将校准区域配置为检测黑电平的黑校准区域，该黑电平用于通过光电二极管阵列检测的图像。图像传感器包括在光电二极管阵列和校准区域上方形成的介电膜。为改进校准区域的精准度，将介电膜配置为平衡光电二极管和校准区域之间的应力。本发明也提供了用于图像传感器的介电膜。

公开(公告)号：CN107154341A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201610654576.9

申请日：2016-08-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖文隆 ,  蒋振劼 ,  郑志成 ,  张简旭珂

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/187 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/022 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76853

摘要： 本发明公开了集成电路及其制造方法。集成电路包括晶体管、第一介电层、蚀刻停止层、第一通孔和第一导电层。第一介电层设置在晶体管和蚀刻停止层之间。第一通孔设置在第一介电层和蚀刻停止层中，并且电连接至晶体管。第一导电层与第一通孔接触，其中第一通孔设置在第一导电层和晶体管之间，并且蚀刻停止层位于部分第一通孔旁边并且与第一导电层相邻。

公开(公告)号：CN107123679A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201611246776.7

申请日：2016-12-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡俊雄 ,  杨怀德 ,  张简旭珂 ,  陈科维 ,  王英郎 ,  方子韦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 一种鳍型场效晶体管，所述鳍型场效晶体管包括衬底、至少一个栅极结构、第一间隔壁、第二间隔壁以及源极及漏极区。所述衬底具有鳍及安置于所述鳍之间的绝缘体。所述至少一个栅极结构安置于所述鳍之上且安置于所述绝缘体上。所述第一间隔壁安置于所述至少一个栅极结构的相对的侧壁上。所述源极及漏极区安置于所述至少一个栅极结构的两个相对侧上且位于所述第一间隔壁旁边。所述第二间隔壁安置于所述至少一个栅极结构的所述两个相对侧上且位于所述第一间隔壁旁边。所述源极及漏极区夹置于所述相对的第二间隔壁之间。

公开(公告)号：CN104051501B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410006691.6

申请日：2014-01-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 简荣亮 ,  郑允玮 ,  郑易沂 ,  张简旭珂 ,  郑志成 ,  黄智睦

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/76 ,  H01L27/04

摘要： 具体地，本发明提供了用于集成电路的一个或多个支撑结构和用于形成这种支撑结构的技术。支撑结构包括一个或多个沟槽结构，诸如环绕集成电路外围所形成的第一沟槽结构和第二沟槽结构。在一些实施例中，根据局部衬底蚀刻形成一个或多个沟槽结构，使得在衬底的区域内形成相应的沟槽结构。在一些实施例中，根据非连续的衬底蚀刻形成一个或多个沟槽结构，使得相应的沟槽结构包括通过衬底的分离区域间隔开的一个或多个沟槽部分。支撑结构减弱到达集成电路的应力能，并且有利于从集成电路释放工艺感生电荷。