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公开(公告)号：CN109585551B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201810316185.5
申请日：2018-04-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明揭露一种半导体结构及其制造方法。一种具有不同栅极间距的半导体结构的非对称临界多间距布局，以减轻栅极间的寄生电容，从而改善截止频率。半导体结构可以包括鳍片于基板上。半导体结构还可以包括形成在鳍片上并被第一间隔分隔的第一栅极结构和第二栅极结构。半导体结构还可以包括在第一栅极结构与第二栅极结构之间的鳍片上形成的第三栅极结构。第三栅极结构可以与第一栅极结构分隔第二间隔并与第二栅极结构分隔大于第二间隔的第三间隔。半导体结构还包括形成在第一栅极结构与第三栅极结构之间的源极区域和形成在第三栅极结构与第二栅极结构之间的漏极区域。
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公开(公告)号：CN109841570B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201811061472.2
申请日：2018-09-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088
摘要： 一种半导体装置、制造半导体装置的方法及用于执行半导体装置的方法。实施于包含基板的结构上的方法，此基板具有用于逻辑装置的第一区域和用于射频(RF)装置的第二区域、位于第一区域上方的第一鳍片和第一栅极结构、位于第二区域上方的第二鳍片和第二栅极结构以及位于栅极结构侧壁上方的栅极间隔物。此方法包含对第一鳍片进行第一蚀刻制程以形成第一凹口；以及对第二鳍片进行第二蚀刻制程以形成第二凹口。第一和第二蚀刻制程被调整为在至少一参数上不同，使得第一凹口比第二凹口浅，且第一凹口与第一栅极结构之间纵向沿着第一鳍片的第一距离小于第二凹口与第二栅极结构之间纵向沿着第二鳍片的第二距离。
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公开(公告)号：CN106981413B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610683007.7
申请日：2016-08-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/423
摘要： 本发明揭露一种制造氮化钽隔离层的方法及金属栅极堆。制造用于超低临界电压半导体装置的氮化钽隔离层的方法包含：形成一高介电常数介电层于一半导体基材上。接着，形成一氮化钽隔离层于该高介电常数介电层上，其中该氮化钽隔离层具有一钽氮比(Ta:N)介于1.2至3之间。再来，沉积多个第一金属栅极于该氮化钽隔离层上，并且图案化位于该于该氮化钽隔离层上的该多个第一金属栅极。最后，形成一第二金属栅极于该氮化钽隔离层上。氮化钽隔离层的钽氮比可精准调整，且氮化钽隔离层抑制不同层间物质扩散，介电泄滞的情况大幅减少。
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公开(公告)号：CN109841570A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811061472.2
申请日：2018-09-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088
摘要： 一种半导体装置、制造半导体装置的方法及用于执行半导体装置的方法。实施于包含基板的结构上的方法，此基板具有用于逻辑装置的第一区域和用于射频(RF)装置的第二区域、位于第一区域上方的第一鳍片和第一栅极结构、位于第二区域上方的第二鳍片和第二栅极结构以及位于栅极结构侧壁上方的栅极间隔物。此方法包含对第一鳍片进行第一蚀刻制程以形成第一凹口；以及对第二鳍片进行第二蚀刻制程以形成第二凹口。第一和第二蚀刻制程被调整为在至少一参数上不同，使得第一凹口比第二凹口浅，且第一凹口与第一栅极结构之间纵向沿着第一鳍片的第一距离小于第二凹口与第二栅极结构之间纵向沿着第二鳍片的第二距离。
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公开(公告)号：CN109585551A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810316185.5
申请日：2018-04-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明揭露一种半导体结构及其制造方法。一种具有不同栅极间距的半导体结构的非对称临界多间距布局，以减轻栅极间的寄生电容，从而改善截止频率。半导体结构可以包括鳍片于基板上。半导体结构还可以包括形成在鳍片上并被第一间隔分隔的第一栅极结构和第二栅极结构。半导体结构还可以包括在第一栅极结构与第二栅极结构之间的鳍片上形成的第三栅极结构。第三栅极结构可以与第一栅极结构分隔第二间隔并与第二栅极结构分隔大于第二间隔的第三间隔。半导体结构还包括形成在第一栅极结构与第三栅极结构之间的源极区域和形成在第三栅极结构与第二栅极结构之间的漏极区域。
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公开(公告)号：CN105280639B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201510312286.1
申请日：2015-06-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234
摘要： 提供了半导体器件的结构和形成方法。半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。半导体器件还包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件和位于鳍结构的上方并且与栅极堆叠件相邻的外延生长的源极/漏极结构。半导体器件还包括位于外延生长的源极/漏极结构的上方的半导体保护层。半导体保护层具有比外延生长的源极/漏极结构的碳原子浓度更大的碳原子浓度。本发明还涉及鳍式场效应晶体管的结构和形成方法。
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公开(公告)号：CN107134494A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201611191001.4
申请日：2016-12-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/092 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L27/0924 , H01L29/1033 , H01L29/4236 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L29/66477
摘要： 本发明实施例提供了具有双沟道的半导体器件，该半导体器件包括共享掩埋栅极柱的第一部分和第二部分。该掩埋栅极柱从衬底的第一表面朝向与第一表面相对的第二表面延伸。第一部分包括掩埋栅极柱、位于掩埋栅极柱的第一侧壁处的第一栅极介电层和位于第一栅极介电层旁边的第一掺杂区域集。在第一栅极介电层和第一掺杂区域集之间的衬底中提供第一沟道。第二部分包括掩埋栅极柱、位于掩埋栅极柱的第二侧壁处的第二栅极介电层和位于第二栅极介电层旁边的第二掺杂区域集。在第二栅极介电层和第二掺杂区域集之间的衬底中提供第二沟道。本发明实施例涉及具有双沟道的半导体器件、互补半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN107134450A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201610919986.1
申请日：2016-10-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0922 , H01L21/02134 , H01L21/02137 , H01L21/3105 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L27/0886 , H01L27/088 , H01L29/7843
摘要： 本发明的实施例公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、p型MOS晶体管、n型MOS晶体管和固化的可流动的氧化物层。衬底包括第一区域和第二区域。p型MOS晶体管位于第一区域中。n型MOS晶体管位于第二区域中。固化的可流动的氧化物层覆盖p型MOS晶体管和n型MOS晶体管，其中施加到p型MOS晶体管的固化的可流动的氧化物层的第一应变不同于施加到n型MOS晶体管的固化的可流动的氧化物层的第二应变，并且它们之间的差异大于0.002Gpa。
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公开(公告)号：CN103811504B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201310157166.X
申请日：2013-04-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/316
CPC分类号： H01L27/14623 , H01L27/1462
摘要： 本发明公开了对CMOS图像传感器的HfO2/SiO2‑Si界面的改进。一种半导体器件包括衬底和设置在衬底上的抗反射涂层，该抗反射涂层和衬底形成界面，在该界面处的碳浓度和氯浓度小于氧浓度。
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公开(公告)号：CN104051480B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310498884.3
申请日：2013-10-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明的光感测器件包括衬底、位于衬底上的光感测区、以及位于所述衬底上方的光屏蔽层。光屏蔽层不覆盖光感测区。至少一个排气孔形成穿过光屏蔽层。
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