发明授权
- 专利标题: 一种晶片应力测量方法
-
申请号: CN201310271765.4申请日: 2013-02-07
-
公开(公告)号: CN103985653B公开(公告)日: 2017-03-08
- 发明人: 马铁中 , 刘健鹏 , 严冬 , 王林梓 , 焦宏达
- 申请人: 北京智朗芯光科技有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
- 专利权人: 北京智朗芯光科技有限公司
- 当前专利权人: 昂坤视觉(北京)科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 刘丽君
- 分案原申请号: 201310049375.2 2013.02.07
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66 ; G01L1/00
摘要:
本发明公开了一种晶片应力测量方法,属于半导体器件技术领域。该方法包括步骤1:测量沿X方向的各入射光束被晶片反射后的沿X方向的光斑偏移量,旋转样品托盘,使晶片旋转,测量各入射光束在晶片上沿Y方向扫描时,各入射点沿Y方向的光斑偏移量;步骤2:通过沿X方向的各入射光束的光斑偏移量,计算出晶片沿X方向的曲率半径,通过沿Y方向的各入射点的光斑偏移量,计算出晶片沿Y方向的曲率半径;步骤3:根据式1)计算出应力; 应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。
公开/授权文献
- CN103985653A 一种晶片应力测量方法 公开/授权日:2014-08-13