发明公开
- 专利标题: 一种薄膜生长的实时测温方法
- 专利标题(英): Film growth real time temperature measurement method
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申请号: CN201310655561.0申请日: 2013-12-06
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公开(公告)号: CN104697637A公开(公告)日: 2015-06-10
- 发明人: 李成敏 , 严冬 , 王林梓 , 刘健鹏 , 焦宏达 , 张塘 , 马小超
- 申请人: 北京智朗芯光科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区知春路27号量子芯座402室
- 专利权人: 北京智朗芯光科技有限公司
- 当前专利权人: 南昌昂坤半导体设备有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区知春路27号量子芯座402室
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 刘杰
- 主分类号: G01J5/00
- IPC分类号: G01J5/00
摘要:
本发明公开了一种薄膜生长的实时测温方法,属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的薄膜生长反应腔的校准系数;测量实际热辐射功率,将校准系数和实际热辐射功率代入公式,计算得到薄膜生长反应腔内薄膜的温度。该方法由于双波长测温结构所依附的薄膜生长反应腔经过校准,计算得到的薄膜的温度值更接近真值。
公开/授权文献
- CN104697637B 一种薄膜生长的实时测温方法 公开/授权日:2018-12-07