公开(公告)号：CN104567663A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310498667.4

申请日：2013-10-22

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 吴文镜 ,  张塘 ,  李成敏

IPC分类号： G01B11/00

摘要： 本发明公开了一种三维移动装置，属于光学测量技术领域。该装置包括底座、固定连接件、X方向移动平台、Y方向移动平台、限位板、升降机构和承载机构。该装置的升降机构受限于由固定连接件的第一通孔、X方向移动平台的第二通孔、Y方向移动平台的第三通孔和限位板的第四通孔形成的容置空间，操作X方向移动平台能够使该升降机构沿X方向移动，操作Y方向移动平台能够是该升降机构沿Y方向移动，该升降机构本身能够沿Z方向移动，因此，固定连接于该升降机构的承载机构能够分别沿XYZ三个方向移动到精确的测量位置。

公开(公告)号：CN104697638A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310655576.7

申请日：2013-12-06

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 严冬 ,  李成敏 ,  王林梓 ,  刘健鹏 ,  焦宏达 ,  张塘 ,  马小超

IPC分类号： G01J5/00 ,  G01J5/08

摘要： 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准方法，半导体制造技术领域。该方法包括根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值-温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点，将点对应的温度T的值代入计算公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。

公开(公告)号：CN104567662A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310498592.X

申请日：2013-10-22

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 吴文镜 ,  张塘 ,  李成敏

IPC分类号： G01B11/00

摘要： 本发明公开了一种光学测量平台，属于光学测量技术领域。该测量平台包括底座、固定连接件、X方向移动平台、Y方向移动平台、限位板、升降机构、承载机构和仪器安装机构。该测量平台具有仪器安装机构，该仪器安装机构可以用于安装不同的测量头，本发明提供的光学测量平台具有承载机构，该承载机构可以用于承载不同的待测样品。固定连接于该升降机构的承载机构由该升降机构带动能够分别沿XYZ三个方向移动，进而，使待测样品分别在XYZ三个方向移动从而到达待测位置。因此，该光学测量平台具有通用性。

公开(公告)号：CN104697666A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310655549.X

申请日：2013-12-06

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 严冬 ,  李成敏 ,  王林梓 ,  刘健鹏 ,  焦宏达 ,  张塘 ,  马小超

IPC分类号： G01K13/00

摘要： 本发明公开了一种MOCVD反应腔测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的MOCVD反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到MOCVD反应腔的温度。该方法由于双波长测温结构的MOCVD反应腔经过校准，计算得到的MOCVD反应腔的温度值更接近真值。

公开(公告)号：CN104697639A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310655598.3

申请日：2013-12-06

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 李成敏 ,  严冬 ,  王林梓 ,  刘健鹏 ,  焦宏达 ,  张塘 ,  马小超

IPC分类号： G01J5/00

摘要： 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准装置及方法，属于半导体制造技术领域。该装置包括MOCVD反应腔及光学探测器，MOCVD反应腔包括外延片，MOCVD反应腔的顶部设有探测窗口，光学探测器通过探测窗口向外延片发出波长分别为λ1和λ2的探测光束，光束外延片反射后形成的反射光束由光学探测部分探测。该方法根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值-温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点；将点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法及装置实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。

公开(公告)号：CN104697637A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310655561.0

申请日：2013-12-06

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 李成敏 ,  严冬 ,  王林梓 ,  刘健鹏 ,  焦宏达 ,  张塘 ,  马小超

IPC分类号： G01J5/00

摘要： 本发明公开了一种薄膜生长的实时测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的薄膜生长反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到薄膜生长反应腔内薄膜的温度。该方法由于双波长测温结构所依附的薄膜生长反应腔经过校准，计算得到的薄膜的温度值更接近真值。

公开(公告)号：CN104697636A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310654540.7

申请日：2013-12-06

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 李成敏 ,  严冬 ,  王林梓 ,  刘健鹏 ,  焦宏达 ,  张塘 ,  马小超

IPC分类号： G01J5/00 ,  G01J5/08

摘要： 本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置，属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热辐射比值获取单元和校准系数计算单元，实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值；校准系数计算单元根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值-温度曲线上与实际热辐射比值对应的点，并将该点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该装置能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。