发明公开
CN104849647A 对于电路可靠性老化的方法和装置
无效 - 驳回
- 专利标题: 对于电路可靠性老化的方法和装置
- 专利标题(英): Method and device for simulating reliability aging of circuit
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申请号: CN201410052000.6申请日: 2014-02-17
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公开(公告)号: CN104849647A公开(公告)日: 2015-08-19
- 发明人: 张致琛 , X·豪尔斯 , M·D·施洛夫 , 王传政 , 张奇林
- 申请人: 飞思卡尔半导体公司
- 申请人地址: 美国得克萨斯
- 专利权人: 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人: 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人地址: 美国得克萨斯
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 刘倜
- 主分类号: G01R31/28
- IPC分类号: G01R31/28
摘要:
一种用于集成电路可靠性老化仿真的方法,包括:将所述目标时间段划分成N个阶段,包括第一阶段和第二阶段;获取可靠性模型的用于所述第一阶段的第一参数值;对于所述第一阶段,基于所述可靠性模型和所述第一参数值对所述电路进行第一仿真,以获取第一老化结果;获取所述可靠性模型的用于所述第二阶段的第二参数值;以及对于所述第二阶段,基于所述可靠性模型和所述第二参数值对所述电路进行第二仿真,以获取第二老化结果。