公开(公告)号：CN104849647A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410052000.6

申请日：2014-02-17

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 张致琛 ,  X·豪尔斯 ,  M·D·施洛夫 ,  王传政 ,  张奇林

IPC: G01R31/28

CPC classification number: G06F17/5036 ,  G06F2217/76

Abstract: 一种用于集成电路可靠性老化仿真的方法，包括：将所述目标时间段划分成N个阶段，包括第一阶段和第二阶段；获取可靠性模型的用于所述第一阶段的第一参数值；对于所述第一阶段，基于所述可靠性模型和所述第一参数值对所述电路进行第一仿真，以获取第一老化结果；获取所述可靠性模型的用于所述第二阶段的第二参数值；以及对于所述第二阶段，基于所述可靠性模型和所述第二参数值对所述电路进行第二仿真，以获取第二老化结果。

公开(公告)号：CN102997944B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201210328798.3

申请日：2012-09-07

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·D·豪尔 ,  M·D·施洛夫

IPC: G01D5/24 ,  G01T1/00 ,  G01T1/02 ,  G01J1/42

CPC classification number: H01L31/119 ,  G01J5/34 ,  G01S3/783 ,  G01T1/24 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/113

Abstract: 本发明涉及入射电容式传感器，公开了用于测量辐射的电容式传感器器件。所述器件包括两个传感器区域（108，109）以及顶板结构（203）。所述传感器区域具有当辐射入射到其时产生电子‑空穴对的材料。分离区域位于所述两个传感器区域之间。传感器区域与顶板结构之间的所述电容取决于入射到所述传感器区域的辐射。阻挡结构选择性地并且区别性地阻挡来自传感器区域具有一个范围中的参数值的辐射，以便在选定的辐射入射角下相对于其它传感器区域的电子‑空穴对的产生区别性地影响一个传感器区域的电子‑空穴对的产生。

公开(公告)号：CN102997944A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210328798.3

申请日：2012-09-07

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·D·豪尔 ,  M·D·施洛夫

IPC: G01D5/24 ,  G01T1/00 ,  G01T1/02 ,  G01J1/42

CPC classification number: H01L31/119 ,  G01J5/34 ,  G01S3/783 ,  G01T1/24 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/113

Abstract: 本发明涉及入射电容式传感器，公开了用于测量辐射的电容式传感器器件。所述器件包括两个传感器区域（108，109）以及顶板结构（203）。所述传感器区域具有当辐射入射到其时产生电子-空穴对的材料。分离区域位于所述两个传感器区域之间。传感器区域与顶板结构之间的所述电容取决于入射到所述传感器区域的辐射。阻挡结构选择性地并且区别性地阻挡来自传感器区域具有一个范围中的参数值的辐射，以便在选定的辐射入射角下相对于其它传感器区域的电子-空穴对的产生区别性地影响一个传感器区域的电子-空穴对的产生。