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公开(公告)号：CN103310028B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201210057627.1
申请日：2012-03-07
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5045 , G06F2217/76 , G06F2217/80
摘要： 本发明涉及考虑器件老化的设计集成电路的方法，公开了一种设计集成电路(IC)的方法，包括通过提供标准单元库以及作为标准单元的引脚处的电活动的函数的标准单元内的器件电活动的器件活动文件，考虑热载流子注入、负偏置温度不稳定性和栅极氧化物击穿，来仿真IC的老化发展。提供标准单元发展文件，其存储标准单元的电特性老化数据。提供IC内的单元的各个实例的引脚处的仿真电活动的实例活动文件。实例活动文件和器件活动文件用于分析器件活动和器件的结果老化发展，并且然后产生IC的结果老化发展的数据。然后可以修改IC设计以便考虑老化发展。
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公开(公告)号：CN103913694A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310006802.9
申请日：2013-01-09
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2856 , G01R31/275 , G01R31/2849
摘要： 本发明涉及用于检测半导体集成电路的应力劣化的监视系统，其具有放大器电路和劣化测试晶体管。提供了若干复用器，所述复用器具有耦接到劣化测试晶体管的相应电极的输出端。每一个所述复用器具有耦接到监视节点中的一个监视节点和放大器电路的相应节点的输入端。在操作中，所述复用器选择性地将劣化测试晶体管插入到所述集成电路或所述放大器电路中，从而使得在被插入到所述集成电路中时所述劣化测试晶体管经受所述集成电路中的应力劣化电压。在劣化测试晶体管被插入到所述放大器电路中时，产生表示所述集成电路的应力应力劣化的输出信号。
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公开(公告)号：CN103310028A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210057627.1
申请日：2012-03-07
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5045 , G06F2217/76 , G06F2217/80
摘要： 本发明涉及考虑器件老化的设计集成电路的方法，公开了一种设计集成电路(IC)的方法，包括通过提供标准单元库以及作为标准单元的引脚处的电活动的函数的标准单元内的器件电活动的器件活动文件，考虑热载流子注入、负偏置温度不稳定性和栅极氧化物击穿，来仿真IC的老化发展。提供标准单元发展文件，其存储标准单元的电特性老化数据。提供IC内的单元的各个实例的引脚处的仿真电活动的实例活动文件。实例活动文件和器件活动文件用于分析器件活动和器件的结果老化发展，并且然后产生IC的结果老化发展的数据。然后可以修改IC设计以便考虑老化发展。
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公开(公告)号：CN105895619A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510063397.3
申请日：2015-01-23
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： H01L23/544
CPC分类号： G01R31/2879 , G01R31/2817 , G01R31/2818
摘要： 本发明涉及用于监测集成电路上金属退化的电路。一种集成电路(IC)，具有诸如功率MOSFET的热发生元件、耦合到热发生元件的载流导体、邻近载流导体的感测导体以及耦合到感测导体的失效检测电路。当IC的热循环导致感测导体的电阻变得大于依赖于温度的阈值时，失效检测电路生成信号，该信号指示集成电路将不久失效。由通过将电流注入到感测导体中以生成电压来确定感测导体的电阻。依赖于温度的阈值是通过将电流注入到被布置得远离载流和感测导体的参考导体中所生成的电压。电压比较器比校两个电压以生成输出。替代地，失效检测电路包括处理器，该处理器从在集成电路上采取的温度测量计算依赖于温度的阈值。
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公开(公告)号：CN104849647A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410052000.6
申请日：2014-02-17
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G06F17/5036 , G06F2217/76
摘要： 一种用于集成电路可靠性老化仿真的方法，包括：将所述目标时间段划分成N个阶段，包括第一阶段和第二阶段；获取可靠性模型的用于所述第一阶段的第一参数值；对于所述第一阶段，基于所述可靠性模型和所述第一参数值对所述电路进行第一仿真，以获取第一老化结果；获取所述可靠性模型的用于所述第二阶段的第二参数值；以及对于所述第二阶段，基于所述可靠性模型和所述第二参数值对所述电路进行第二仿真，以获取第二老化结果。
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