发明公开
- 专利标题: 砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法
- 专利标题(英): Ggalium arsenide polycrystal magnetic field growing furnace and growing method
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申请号: CN201510659597.5申请日: 2015-10-14
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公开(公告)号: CN105154978A公开(公告)日: 2015-12-16
- 发明人: 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞
- 申请人: 云南鑫耀半导体材料有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
- 专利权人: 云南鑫耀半导体材料有限公司
- 当前专利权人: 云南鑫耀半导体材料有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
- 代理机构: 昆明祥和知识产权代理有限公司
- 代理商 施建辉
- 主分类号: C30B29/42
- IPC分类号: C30B29/42 ; C30B30/04 ; C30B11/00 ; C30B33/02
摘要:
一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法,涉及砷化镓多晶,尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法,其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成,砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置,炉室呈圆柱形,嵌套于磁场装置中,砷化镓多晶在生长过程中,通过磁场装置产生诱导漩涡,利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法,降低了固液界面控制的难度,避免了砷泄漏现象的出现概率;提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
公开/授权文献
- CN105154978B 砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法 公开/授权日:2017-12-15
IPC分类: