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公开(公告)号：CN105154978B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510659597.5
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞
摘要： 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
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公开(公告)号：CN105154978A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510659597.5
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞
摘要： 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
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公开(公告)号：CN106057645A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610438124.7
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02096
摘要： 本发明涉及一种半导体晶片的清洗方法，特别涉及锗单晶抛光片的一种清洗方法。本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：(1)SPM清洗：用浓度95％～98％浓硫酸和浓度30％～32％过氧化氢按照体积比为7:1配制清洗液；(2) SOM清洗：将步骤(1)清洗后的锗抛光片放入由浓度95％～98％浓硫酸、浓度10mg/L臭氧水及去离子水按照体积比为1:1:4混合的清洗液中；(3)APM清洗：将步骤(2)清洗后的锗抛光片放入浓度28％～30％氨水、30％～32％过氧化氢及去离子水按照体积比为1:2:15混合的清洗液中清洗。在不破坏锗抛光片表面的情况下，能够有效去除其表面颗粒、金属、有机物，获得高洁净且生长有薄而均匀的氧化层的表面，达到免清洗(Epi‑ready)的要求。
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公开(公告)号：CN105133019A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510659806.6
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞 , 祝永成
摘要： 一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN105937052B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201610437697.8
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105937052A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610437697.8
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： C30B33/10
CPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105887195A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610439088.6
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。
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公开(公告)号：CN205993960U
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201620606454.8
申请日：2016-06-21
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 一种洁净柜，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净柜，其特征在于该洁净柜是一个柜体，该柜体由两块侧板、一块背板和柜门构成，柜体顶部安装高效过滤器，高效过滤器顶部设置静压箱，静压箱顶部开口处设置风机，柜体内侧板上设置紫外线杀菌灯，并设置若干对对称布置的凹槽，置物架通过凹槽水平固定在两侧板之间，柜体底部设置排风孔。本实用新型的一种洁净柜，组装拆卸方便，操作简单实用，结构设计科学合理，利用空气流通原理起到良好的清洁作用，方便有效且节省人力物力。
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公开(公告)号：CN205723474U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620672887.3
申请日：2016-06-30
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种洁净室用晶片清洗工作台，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净室用晶片清洗工作台，该工作台是一个柜体，该柜体分为上中下三个部分，上部为空气循环系统，中部为工作区域，下部是一个支撑台。本实用新型的一种洁净室用晶片清洗工作台，设计科学，使用方便，把清洗窗口、甩干窗口及验片窗口整合在同一操作台上，实现了在及时排出清洗晶片产生的有害气体的同时，减少了晶片再次受到沾污的机会，大大提高了生产效率。
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