公开(公告)号：CN105133019A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510659806.6

申请日：2015-10-14

申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司

发明人： 卢纪军 ,  包文东 ,  李苏滨 ,  惠峰 ,  李雪峰 ,  柳廷龙 ,  李武芳 ,  周一 ,  杨海超 ,  候振海 ,  朱大清 ,  董汝昆 ,  何永彬 ,  田东 ,  马会宇 ,  肖祥江 ,  杨小瑞 ,  祝永成

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B30/04 ,  C30B11/00 ,  C30B33/02

摘要： 一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。

公开(公告)号：CN105154978B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510659597.5

申请日：2015-10-14

申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司

发明人： 卢纪军 ,  包文东 ,  李苏滨 ,  惠峰 ,  李雪峰 ,  柳廷龙 ,  李武芳 ,  周一 ,  杨海超 ,  候振海 ,  朱大清 ,  董汝昆 ,  何永彬 ,  田东 ,  马会宇 ,  肖祥江 ,  杨小瑞

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B30/04 ,  C30B11/00 ,  C30B33/02

摘要： 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。

公开(公告)号：CN105154978A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510659597.5

申请日：2015-10-14

申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司

发明人： 卢纪军 ,  包文东 ,  李苏滨 ,  惠峰 ,  李雪峰 ,  柳廷龙 ,  李武芳 ,  周一 ,  杨海超 ,  候振海 ,  朱大清 ,  董汝昆 ,  何永彬 ,  田东 ,  马会宇 ,  肖祥江 ,  杨小瑞

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B30/04 ,  C30B11/00 ,  C30B33/02

摘要： 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。