发明授权
- 专利标题: Cu柱、Cu芯柱、钎焊接头及硅穿孔电极
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申请号: CN201480081816.X申请日: 2014-09-09
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公开(公告)号: CN106688085B公开(公告)日: 2019-06-18
- 发明人: 川崎浩由 , 六本木贵弘 , 相马大辅 , 佐藤勇 , 川又勇司
- 申请人: 千住金属工业株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 千住金属工业株式会社
- 当前专利权人: 千住金属工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 李茂家
- 国际申请: PCT/JP2014/073808 2014.09.09
- 国际公布: WO2016/038686 JA 2016.03.17
- 进入国家日期: 2017-03-08
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; B22F1/00 ; H01L21/3205 ; H01L21/768 ; H01L23/50 ; H01L23/522 ; H05K3/34
摘要:
本发明提供维氏硬度低、且算术平均粗糙度小的Cu柱、Cu芯柱、钎焊接头及硅穿孔电极。本发明的Cu柱1的纯度为99.9%以上且99.995%以下,算术平均粗糙度为0.3μm以下,维氏硬度为20HV以上且60HV以下。Cu柱1在软钎焊温度下不熔融,能够确保一定的焊点高度(基板间的空间),因此适用于三维安装、窄间距安装。
公开/授权文献
- CN106688085A Cu柱、Cu芯柱、钎焊接头及硅穿孔电极 公开/授权日:2017-05-17
IPC分类: