发明公开
CN1078068A 形成半导体器件的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 形成半导体器件的方法
- 专利标题（英）： METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
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申请号： CN93105438.9申请日： 1993-04-07
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公开(公告)号： CN1078068A公开(公告)日： 1993-11-03
- 发明人: 山崎舜平 , 张宏勇 , 鱼地秀贵 , 安达广树 , 竹村保彦
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 肖掬昌; 王忠忠
- 优先权： 115503/92 1992.04.07 JP; 089117/92 1993.03.24 JP
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/784
摘要：
本发明公开了一种改进了的制造绝缘栅场效应晶体管的方法。该方法包括下列步骤：在绝缘衬底上形成半导体薄膜，在所说半导体薄膜上形成栅绝缘薄膜，在所说的栅绝缘薄膜上形成栅电极，阳极氧化所说栅电极，以形成覆盖栅电极的外表面的氧化物薄膜，按相应的半导体薄膜给栅电极加负电压或正电压。加负电压能有效地消除在正电压进行阳极氧化过程中产生的晶格缺陷和界面态。
公开/授权文献
- CN1054469C 形成半导体器件的方法 公开/授权日：2000-07-12