公开(公告)号：CN1603924B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200410088064.8

申请日：1992-08-22

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC分类号： G02F1/136 ,  G02F1/13 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H04N5/225

摘要： 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。

公开(公告)号：CN100501980C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610103003.3

申请日：1994-05-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

摘要： 在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上，在预定的外围电路部分的区域内引入镍，以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后，用掺杂法形成源、漏和沟道，用激光照射改善结晶。之后，形成电极/引线。因此，获得有源矩阵型液晶显示器，它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT)，由结晶薄膜构成，其晶体在平行于载流子流的方向里生长，在图象元素部分里的TFTs由无定形硅薄膜构成。

公开(公告)号：CN100477247C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410101997.6

申请日：1995-06-01

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 竹村保彦 ,  滨谷敏次 ,  小沼利光 ,  小山润 ,  河崎祐司 ,  张宏勇 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  G09F9/30

CPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/13685 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

摘要： 根据本发明，提供了一种有源矩阵显示器，包括：一个表面绝缘的衬底；在所述绝缘表面上形成的一个半导体层，所述半导体层包括至少第一和第二沟道、在所述第一和第二沟道之间的第一掺杂区、和一对第二掺杂区，其中所述沟道位于所述第二掺杂区之间；形成在所述半导体层上的第一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一个栅线，其中所述栅线在所述沟道之上延伸；形成在所述栅线之上的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层之上的一个源线，其中所述源线电连接到所述第二掺杂区中的一个上；形成在所述源线之上的第三绝缘层；和形成在所述第三绝缘层之上的一个像素电极，它电连接到所述第二掺杂区的另一个上；其中所述第一和第二沟道中的一个被所述源线覆盖，而另一个不被所述源线覆盖。

公开(公告)号：CN100465742C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510004153.4

申请日：1993-08-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  张宏勇

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/28158 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/66757

摘要： 一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。

公开(公告)号：CN100437945C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200510091919.7

申请日：1994-03-12

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  山本睦夫

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20

摘要： 本发明是一种薄膜晶体管的形成方法，该方法包括以下步骤：形成一硅膜，该硅膜在衬底之上，属非晶型；给硅膜供予促进结晶化的一种催化元素；使利用了所述催化元素的硅膜退火，而将硅膜结晶；在结晶的硅膜之上形成一栅极；对结晶的硅膜供以杂质；在结晶的硅膜的多个部分上形成含催化元素的物质；以及去除物质的一部分。

公开(公告)号：CN100416750C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN00134483.8

申请日：1994-02-03

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 高山彻 ,  张宏勇 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

摘要： 一种创新的制造半导体器件的方法，能够以较低温度和较短时间周期使非晶硅膜结晶。所述方法包括：在第一室旁在衬底上形成硅氧化物膜；在第一室中通过以氮替换第一室内侧的大气而执行对硅氧化物膜的氮等离子体处理；在执行氮等离子体处理之后在硅氧化物膜上形成非晶硅膜；以及通过在400到650℃的温度范围或不高于衬底玻璃转换温度下对非晶硅膜进行热处理而使非晶硅膜结晶，其中衬底在第一室与第二室之间的传递是在不暴露于空气中的情况下进行的。

公开(公告)号：CN1893118A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610099725.6

申请日：1994-03-12

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC分类号： H01L29/786

摘要： 本发明涉及半导体器件的一种制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成一层晶体半导体膜；在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷形成包括二氧化硅的栅绝缘膜；形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极，其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间，所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料；以及通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素，从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区。

公开(公告)号：CN1877800A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610099734.5

申请日：1993-12-04

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC分类号： H01L21/336

摘要： 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN1244891C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN99111870.7

申请日：1993-08-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  张宏勇

IPC分类号： G09F9/35 ,  G02F1/13 ,  H01L29/786 ,  H01L27/00

CPC分类号： H01L21/28158 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/66757

摘要： 一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。

公开(公告)号：CN1652352A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510054408.8

申请日：1994-09-20

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

摘要： 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上包括硅的半导体膜，所述半导体膜包括沟道区；在所述半导体膜中的一对高电阻率区，所述沟道区介于所述一对高电阻率区之间，其中所述一对高电阻率区包括第一浓度的一种导电类型的杂质；在所述半导体膜中与所述一对高电阻率区相邻的一对杂质区，其中所述一对杂质区包括高于所述第一浓度的第二浓度的同样导电类型的杂质；在所述沟道区上的栅电极，栅绝缘膜介于其间，其中所述栅电极部分地与每个所述一对高电阻率区重叠，其中每个所述一对杂质区包括镍硅化物。