发明授权
- 专利标题： 具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列
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申请号： CN201810153706.X申请日： 2013-08-29
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公开(公告)号： CN108364955B公开(公告)日： 2022-11-29
- 发明人: 丹沢彻 , 村越有 , 迪帕克·蒂梅高达
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王龙
- 优先权： 13/599,793 20120830 US
- 主分类号： H01L27/11521
- IPC分类号： H01L27/11521 ; H01L27/11529 ; H01L27/11548 ; H01L27/11556 ; H01L27/11568 ; H01L27/11573 ; H01L27/11575 ; H01L27/11582 ; H01L29/792 ; G11C16/04 ; H01L21/336
摘要：
本申请涉及具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列。一些实施例包含设备及方法，其具有：衬底；存储器单元串，其包含主体；选择栅极，其位于所述设备的一层级中且沿所述主体的一部分而定位；及控制栅极，其位于所述设备的其它层级中且沿所述主体的其它相应部分而定位。此类设备中的至少一者包含将所述选择栅极或所述控制栅极中的一者耦合到所述衬底中的组件(例如晶体管)的导电连接件。所述连接件可包含通过所述控制栅极中的至少一者的一部分的一部分。
公开/授权文献
- CN108364955A 具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列 公开/授权日：2018-08-03
IPC分类:
