公开(公告)号：CN108364955B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201810153706.X

申请日：2013-08-29

申请人： 美光科技公司

发明人： 丹沢彻 ,  村越有 ,  迪帕克·蒂梅高达

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/792 ,  G11C16/04 ,  H01L21/336

摘要： 本申请涉及具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列。一些实施例包含设备及方法，其具有：衬底；存储器单元串，其包含主体；选择栅极，其位于所述设备的一层级中且沿所述主体的一部分而定位；及控制栅极，其位于所述设备的其它层级中且沿所述主体的其它相应部分而定位。此类设备中的至少一者包含将所述选择栅极或所述控制栅极中的一者耦合到所述衬底中的组件(例如晶体管)的导电连接件。所述连接件可包含通过所述控制栅极中的至少一者的一部分的一部分。

公开(公告)号：CN104662660B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201380049490.8

申请日：2013-08-29

申请人： 美光科技公司

发明人： 丹沢彻 ,  村越有 ,  迪帕克·蒂梅高达

IPC分类号： H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11529 ,  H01L29/792 ,  G11C16/04 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11556 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

摘要： 一些实施例包含设备及方法，其具有：衬底；存储器单元串，其包含主体；选择栅极，其位于所述设备的一层级中且沿所述主体的一部分而定位；及控制栅极，其位于所述设备的其它层级中且沿所述主体的其它相应部分而定位。此类设备中的至少一者包含将所述选择栅极或所述控制栅极中的一者耦合到所述衬底中的组件(例如晶体管)的导电连接件。所述连接件可包含通过所述控制栅极中的至少一者的一部分的一部分。

公开(公告)号：CN116171654A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202180051709.2

申请日：2021-08-05

申请人： 美光科技公司

发明人： 河合鉱一 ,  鎌田义彦 ,  福住嘉晃 ,  村越有

IPC分类号： H10B43/40

摘要： 一种微电子装置包括第一数字线、第二数字线及多路复用器装置。所述第一数字线耦合到存储器单元串。所述第二数字线耦合到额外存储器单元串。所述第二数字线在第一水平方向上从所述第一数字线偏移且在正交于所述第一水平方向的第二水平方向上与所述第一数字线基本上对准。所述多路复用器装置在所述第一水平方向上水平插入于所述第一数字线与所述第二数字线之间。所述多路复用器装置与所述第一数字线、所述第二数字线及页面缓冲器装置电连通。还描述额外微电子装置、存储器装置及电子系统。

公开(公告)号：CN104662660A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380049490.8

申请日：2013-08-29

申请人： 美光科技公司

发明人： 丹沢彻 ,  村越有 ,  迪帕克·蒂梅高达

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11556 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

摘要： 一些实施例包含设备及方法，其具有：衬底；存储器单元串，其包含主体；选择栅极，其位于所述设备的一层级中且沿所述主体的一部分而定位；及控制栅极，其位于所述设备的其它层级中且沿所述主体的其它相应部分而定位。此类设备中的至少一者包含将所述选择栅极或所述控制栅极中的一者耦合到所述衬底中的组件(例如晶体管)的导电连接件。所述连接件可包含通过所述控制栅极中的至少一者的一部分的一部分。

公开(公告)号：CN116171654B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202180051709.2

申请日：2021-08-05

申请人： 美光科技公司

发明人： 河合鉱一 ,  鎌田义彦 ,  福住嘉晃 ,  村越有

IPC分类号： H10B43/40

摘要： 一种微电子装置包括第一数字线、第二数字线及多路复用器装置。所述第一数字线耦合到存储器单元串。所述第二数字线耦合到额外存储器单元串。所述第二数字线在第一水平方向上从所述第一数字线偏移且在正交于所述第一水平方向的第二水平方向上与所述第一数字线基本上对准。所述多路复用器装置在所述第一水平方向上水平插入于所述第一数字线与所述第二数字线之间。所述多路复用器装置与所述第一数字线、所述第二数字线及页面缓冲器装置电连通。还描述额外微电子装置、存储器装置及电子系统。

公开(公告)号：CN108364955A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810153706.X

申请日：2013-08-29

申请人： 美光科技公司

发明人： 丹沢彻 ,  村越有 ,  迪帕克·蒂梅高达

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/792 ,  G11C16/04 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11556 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

摘要： 本申请涉及具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列。一些实施例包含设备及方法，其具有：衬底；存储器单元串，其包含主体；选择栅极，其位于所述设备的一层级中且沿所述主体的一部分而定位；及控制栅极，其位于所述设备的其它层级中且沿所述主体的其它相应部分而定位。此类设备中的至少一者包含将所述选择栅极或所述控制栅极中的一者耦合到所述衬底中的组件(例如晶体管)的导电连接件。所述连接件可包含通过所述控制栅极中的至少一者的一部分的一部分。