半导体器件的处理方法，半导体的处理设备和半导体器件的处理设备

Invention Publication

CN1104371A 半导体器件的处理方法，半导体的处理设备和半导体器件的处理设备失效 - 权利终止

Patent Title: 半导体器件的处理方法，半导体的处理设备和半导体器件的处理设备
Patent Title (English): Method for processing semiconductor device, apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
Application No.: CN94115974.4

Application Date: 1994-07-02
Publication No.: CN1104371A

Publication Date: 1995-06-28
Inventor: 山崎舜平 , 武内晃 , 竹村保彦 , 岛田浩行
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Applicant Address: 日本神奈川县
Assignee: 株式会社半导体能源研究所
Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
Current Assignee Address: 日本神奈川县
Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
Agent 马铁良; 萧掬昌
Priority: 301172/93 1993.11.05 JP; 100642/94 1994.04.13 JP
Main IPC: H01L21/00
IPC: H01L21/00 ; H01L21/70

Abstract:

一种多室系统，在半导体器件如半导体集成电路的制造中，提供一种高清洁度的处理。该系统包括多个真空设备(如膜形成设备、腐蚀设备、热处理设备和预备室)，用于制造半导体器件。这些真空设备中至少一个是采用激光的。

Public/Granted literature

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Chinese Patent Announcement Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备