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公开(公告)号：CN1104371A
公开(公告)日：1995-06-28
申请号：CN94115974.4
申请日：1994-07-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/268 , H01L21/67196 , H01L21/67213 , H01L21/84 , H01L29/66757
Abstract: 一种多室系统，在半导体器件如半导体集成电路的制造中，提供一种高清洁度的处理。该系统包括多个真空设备(如膜形成设备、腐蚀设备、热处理设备和预备室)，用于制造半导体器件。这些真空设备中至少一个是采用激光的。
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公开(公告)号：CN100367461C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN98106064.1
申请日：1994-07-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/22 , H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/70
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/268 , H01L21/67196 , H01L21/67213 , H01L21/84 , H01L29/66757
Abstract: 一种多室系统，在半导体器件如半导体集成电路的制造中，提供一种高清洁度的处理。该系统包括多个真空设备(如膜形成设备、腐蚀设备、热处理设备和预备室)，用于制造半导体器件。这些真空设备中至少一个是采用激光的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100470740C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610101189.9
申请日：1994-07-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种多室系统，在半导体器件如半导体集成电路的制造中，提供一种高清洁度的处理。该系统包括多个真空设备(如膜形成设备、腐蚀设备、热处理设备和预备室)，用于制造半导体器件。这些真空设备中至少一个是采用激光的。
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公开(公告)号：CN1881550A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610101189.9
申请日：1994-07-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种多室系统，在半导体器件如半导体集成电路的制造中，提供一种高清洁度的处理。该系统包括多个真空设备(如膜形成设备、腐蚀设备、热处理设备和预备室)，用于制造半导体器件。这些真空设备中至少一个是采用激光的。
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公开(公告)号：CN1052566C
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN94115974.4
申请日：1994-07-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/268 , H01L21/67196 , H01L21/67213 , H01L21/84 , H01L29/66757
Abstract: 一种多室系统，在半导体器件如半导体集成电路的制造中，提供一种高清洁度的处理。该系统包括多个真空设备(如膜形成设备、腐蚀设备、热处理设备和预备室)，用于制造半导体器件。这些真空设备中至少一个是采用激光的。
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公开(公告)号：CN1193809A
公开(公告)日：1998-09-23
申请号：CN98106064.1
申请日：1994-07-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/22 , H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/70
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/268 , H01L21/67196 , H01L21/67213 , H01L21/84 , H01L29/66757
Abstract: 一种多室系统,在半导体器件如半导体集成电路的制造中,提供一种高清洁度的处理。该系统包括多个真空设备(如膜形成设备、腐蚀设备、热处理设备和预备室),用于制造半导体器件。这些真空设备中至少一个是采用激光的。
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