本发明公开了一种利用管式PECVD制备背面全钝化接触太阳电池的方法及背面全钝化接触太阳电池，该方法包括以下步骤：对硅片进行预清洗、双面制绒、正面硼扩散、正面激光选择性掺杂、二次清洗、背面抛光；利用管式PECVD设备背面沉积二氧化硅薄膜层、磷掺杂非晶碳化硅薄膜层，并进行退火处理，使非晶碳化硅转变为微晶碳化硅；沉积Al2O3钝化层和减反射层；丝网印刷和烧结，得到背面全钝化接触太阳电池。本发明方法具有工艺简单、操作方便、成本低廉、与现有产线兼容好、制备可控性好、制备效率高、安全性好等优点，能够制备高效率的背面全钝化接触太阳电池，且适合于大规模制备，利于工业化应用，有着很高的使用价值和很好的应用前景。