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公开(公告)号：CN114606478B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210066237.4
申请日：2022-01-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构，该超薄氧化硅层的制备是以N2O和Ar的混合气体，N2O和He的混合气体，N2O、Ar和He的混合气体或N2O、Ar和CO2的混合气体为工艺气体，利用管式PECVD制备超薄氧化硅层。钝化接触结构包括制备超薄氧化硅层和掺杂非晶硅层。本发明制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好等优点，可以与掺杂多晶硅层的完美匹配，有利于提高硅片的钝化效果，进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率，同时本发明方法还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势，适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构，利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN115064606A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210680729.2
申请日：2022-06-16
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于提高多晶硅层钝化效果的水汽退火设备及水汽退火工艺，该水汽退火设备包括用于放置待处理退火样品的腔体，腔体上连通有第一进气管道、尾气排出管道和第二进气管道，位于腔体内部的第二进气管道上设有若干个水汽喷出口，位于腔体外部的第二进气管道连通有用于生产水汽的生产装置。该水汽退火工艺包括对硅片进行高温晶化，通入水汽进行水汽退火处理。本发明水汽退火设备及水汽退火工艺，既可以精确控制低比例水汽进入量，又能保证水汽在腔体内均匀分布，适用于补充并增加多晶硅中的氢含量，以及在提高水汽退火均匀性的同时也能降低水汽对多晶硅层的氧化，有利于提高多晶硅层的钝化效果，适用于制备高性能的晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN114823969A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210297222.9
申请日：2022-03-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种提升钝化接触结构性能的低温氢等离子体辅助退火方法和TOPCon太阳能电池，该退火方法是以氢气或含氢气的混合气体为工艺气体，对制备有钝化接触结构的硅片进行退火处理。本发明中，在高温烧结之后，通过在氢等离子体下进行退火处理，既可以通过低温退火修复晶界缺陷和杂质，还可以通过引入H等离子体使得薄膜界面和晶体内部晶界处的悬挂键饱和，减少界面和晶界处的载流子复合，从而达到很好的钝化效果，进而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。本发明低温氢等离子体辅助退火方法，具有易于批量处理、运营成本低等优点，可广泛用于提升钝化接触结构的钝化性能，对于提升TOPCon太阳能电池的产能具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN114606478A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210066237.4
申请日：2022-01-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构，该超薄氧化硅层的制备是以N2O和Ar的混合气体，N2O和He的混合气体，N2O、Ar和He的混合气体或N2O、Ar和CO2的混合气体为工艺气体，利用管式PECVD制备超薄氧化硅层。钝化接触结构包括制备超薄氧化硅层和掺杂非晶硅层。本发明制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好等优点，可以与掺杂多晶硅层的完美匹配，有利于提高硅片的钝化效果，进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率，同时本发明方法还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势，适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构，利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN114823969B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202210297222.9
申请日：2022-03-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种提升钝化接触结构性能的低温氢等离子体辅助退火方法和TOPCon太阳能电池，该退火方法是以氢气或含氢气的混合气体为工艺气体，对制备有钝化接触结构的硅片进行退火处理。本发明中，在高温烧结之后，通过在氢等离子体下进行退火处理，既可以通过低温退火修复晶界缺陷和杂质，还可以通过引入H等离子体使得薄膜界面和晶体内部晶界处的悬挂键饱和，减少界面和晶界处的载流子复合，从而达到很好的钝化效果，进而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。本发明低温氢等离子体辅助退火方法，具有易于批量处理、运营成本低等优点，可广泛用于提升钝化接触结构的钝化性能，对于提升TOPCon太阳能电池的产能具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN115528141A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211303546.5
申请日：2022-10-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L21/22
摘要： 本发明公开了一种N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备氧化层、硼掺杂、退火，形成多晶硅层；在多晶硅层表面预设栅线区域制备掩膜；去除硅基体表面非栅线区域的多晶硅层和氧化层；去除掩膜，得到N型太阳能电池硼扩散SE结构。与常规制备方法相比，本发明N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，仅需一次高温退火过程，对硅基体所造成的损失较小，具有工艺简单、操作方便、成本较低、损伤小等优点，不仅有利于提升电池的光电转化效率，而且有利于实现规模化生产，使用价值高，应用前景好。
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公开(公告)号：CN110106493B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201910344320.1
申请日：2019-04-26
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/50 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种利用管式PECVD设备制备背面钝化膜的方法，该方法包括以下步骤：将硅片置于管式PECVD设备中进行恒温处理、前处理、背面沉积AlOx膜、后处理、在AlOx膜上沉积第一SiNx膜、在第一SiNx膜上沉积第二SiNx膜，完成对背面钝化膜的制备。本发明方法通过利用管式PECVD设备并改良工艺流程和工艺参数即可实现PERC电池背面钝化膜的制备，不仅有利于提高旧产线或旧设备的利用率，同时还具有设备投资成本低、维护频率低、制备成本低等优点，且由此制得的太阳电池也具有较高的光电转换效率，对于实现PERC电池的广泛应用具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN110106493A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910344320.1
申请日：2019-04-26
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/513 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种利用管式PECVD设备制备背面钝化膜的方法，该方法包括以下步骤：将硅片置于管式PECVD设备中进行恒温处理、前处理、背面沉积AlOx膜、后处理、在AlOx膜上沉积第一SiNx膜、在第一SiNx膜上沉积第二SiNx膜，完成对背面钝化膜的制备。本发明方法通过利用管式PECVD设备并改良工艺流程和工艺参数即可实现PERC电池背面钝化膜的制备，不仅有利于提高旧产线或旧设备的利用率，同时还具有设备投资成本低、维护频率低、制备成本低等优点，且由此制得的太阳电池也具有较高的光电转换效率，对于实现PERC电池的广泛应用具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN105304756B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510720547.3
申请日：2015-10-30
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种太阳能晶硅电池返工片处理工艺，包括以下步骤：（1）对所述太阳能晶硅电池返工片进行氧化处理；（2）将步骤（1）氧化处理后的返工片放入清洗液中清洗，以去除步骤（1）氧化过程中产生的氧化物。该工艺具有降低返工片处理不良比例、避免传统制绒返工处理产生的花晶和暗纹问题、工艺简单、处理灵活等优点，且可与传统的制绒尾液返工处理工艺相结合，共同应用于返工片的返工处理。
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公开(公告)号：CN105304756A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510720547.3
申请日：2015-10-30
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/02096
摘要： 本发明公开了一种太阳能晶硅电池返工片处理工艺，包括以下步骤：（1）对所述太阳能晶硅电池返工片进行氧化处理；（2）将步骤（1）氧化处理后的返工片放入清洗液中清洗，以去除步骤（1）氧化过程中产生的氧化物。该工艺具有降低返工片处理不良比例、避免传统制绒返工处理产生的花晶和暗纹问题、工艺简单、处理灵活等优点，且可与传统的制绒尾液返工处理工艺相结合，共同应用于返工片的返工处理。
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