发明授权
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN201911081130.1申请日： 2019-11-07
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公开(公告)号： CN111180516B公开(公告)日： 2023-10-20
- 发明人: 斋藤顺 , 山下侑佑 , 浦上泰
- 申请人： 株式会社电装
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 任天诺; 高培培
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/739 ; H01L29/423
摘要：
半导体装置具备：半导体基板；覆盖半导体基板的上表面的一部分的绝缘膜；隔着绝缘膜而与半导体基板的上表面对向的栅电极。在半导体基板，通过体层而向上表面延伸的漂移层隔着绝缘膜而与栅电极对向。绝缘膜从半导体基板的上表面通过栅电极与上表面电极之间延伸至栅电极的上表面，在栅电极的上表面划定开口。在通过与栅电极对向的漂移层的对向面并与该对向面垂直的直线的集合即第一区域内，在栅电极的上表面不存在绝缘膜。
公开/授权文献
- CN111180516A 半导体装置 公开/授权日：2020-05-19
IPC分类:
