本发明公开了一种控制III-V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法，包括：在密闭容器中放置多个III-V族化合物半导体衬底；并在所述密闭容器中放置预定量材料，用以调控密闭容器中单晶衬底中的氧浓度。所述预定量的材料对氧具有高度的化学反应性。所述方法还包括保持所述容器内的预定空气压力，以及对所述多个III-V族单晶衬底进行退火，促使所述预定压力空气内的氧原子在所述晶体衬底中进行扩散而产生可控制的氧浓度。所述III-V族化合物半导体衬底中的氧浓度由所述预定量的材料来调控。