本发明提供一种触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法，包括：位于衬底上的深N阱；相邻设置于深N阱内的N阱及P阱；以及，第一P+注入区及第二P+注入区，第一P+注入区设置于N阱内，第二P+注入区设置于N阱及P阱内，第一P+注入区与第二P+注入区之间设置有隔离区；第一P+注入区、N阱及第二P+注入区构成第一PNP三极管，第一P+注入区、N阱及P阱构成第二PNP三极管，N阱与第二P+注入区的接触面积可调。本发明的触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法将击穿电压不同的PNP三极管并联，通过调节并联部分的接触面积实现触发电压的可调；同时基于PNP三极管相当于背靠背的两个二极管结构实现正负信号的双向保护。