-
公开(公告)号：CN116938159A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311205943.3
申请日：2023-09-19
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种差分输入的电路、差分对失配噪声补偿电路及方法，包括：第一、第二MOS管模块构成差分对，均包括a个MOS管，a为大于等于1的自然数；其中，第一MOS管模块中各MOS管并联；第二MOS管模块中各MOS管并联；第一、第二MOS管模块中各MOS管的类型相同；失配检测模块，实时对环境变化导致的第一与第二MOS管模块的失配进行检测，得到失配检测信号；背偏调控模块，输出端连接各MOS管的衬底，基于失配检测信号分别调节各MOS管的背偏电压，进而实现第一、第二MOS管模块的阈值电压的匹配。本发明基于背偏调控改变差分对的阈值电压，实现差分对的精准匹配，从而降低差分对的失配噪声，提高电路的精度。
-
公开(公告)号：CN116381345A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310385625.3
申请日：2023-04-11
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： G01R27/02
摘要： 本发明提供一种薄膜电阻测量结构、测量方法以及测量系统，包括：第一电阻测量模块以及第二电阻测量模块；所述第一电阻测量模块包括第一旁路电阻测量单元及第二旁路电阻测量单元，用于得到旁路电阻的阻值；第二电阻测量模块包括M个串联设置的测量单元，用于得到旁路电阻和薄膜电阻的阻值；M为大于等于2的整数。本发明结构简单，测量步骤简约，不需要配置复杂的仪器进行测量。不需要在多个位置进行多次测量并进行数据分析，得到的薄膜电阻阻值准确，测量结构及测量方法适用环境广泛。
-
公开(公告)号：CN115831941A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310092034.7
申请日：2023-02-10
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/552 , H10N97/00
摘要： 本发明提供一种薄膜电阻结构，包括从下往上依次叠置的衬底、N型层、噪声抑制层、介质层及电阻层，其中，所述噪声抑制层包括在水平方向上交替排列的N型掺杂层及P型掺杂层。本发明的薄膜电阻结构主要利用噪声抑制层中的交替排列的N型掺杂层及P型掺杂层形成的背靠背双极管结构，在PN结反向偏置时空间电荷区增大了电阻，从而抑制阱区的电势波动或衬底噪声对上层电阻信号传输的影响，提高器件性能的稳定性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN114221662B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210164681.X
申请日：2022-02-23
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/46
摘要： 本发明提供一种逐次逼近型模数转换器，包括DAC电路、比较电路及SAR逻辑电路；DAC电路包括结构相同的第一、第二DAC模块，包括高、中、低及并列低权重位段，用于对输入电压进行采样和转换，并在转换阶段，依次执行高权重位段的转换、中权重位段的转换、低权重位段的转换、低权重位段的复位及并列低权重位段的转换；比较电路用于对各权重位段输出的电压进行比较；SAR逻辑电路用于根据比较结果产生相应控制信号，及获取各权重位段的转换结果，并对低权重位段和并列低权重位段的转换结果进行互相校验，以得到低权重位的最终转换结果。通过本发明提供的逐次逼近型模数转换器，解决了现有技术中优化比较器的比较精度难度大的问题。
-
公开(公告)号：CN113037290B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110562438.9
申请日：2021-05-24
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/46
摘要： 本发明提供一种逐次逼近型ADC及其异步逻辑控制电路，包括：n级电容电压追踪模块，各级电容电压追踪模块分别对逐次逼近型ADC中各权重位电容的电压建立进行追踪，在建立完成后产生相应的控制信号及脉冲信号；各级电容电压追踪模块依次连接，权重位越高的电容对应的电容电压追踪模块级别越靠前，后级电容电压追踪模块接收前级电容电压追踪模块输出的控制信号并在前级电容电压追踪模块完成电压建立后开始工作；逻辑模块，连接于各级电容电压追踪模块的输出端，基于任一级电容电压追踪模块输出的脉冲信号触发逻辑控制时钟。本发明可以模拟DAC不同权重位的建立，从而准确地产生合适的控制时钟，达到节省时间、提高ADC转换速度的效果。
-
公开(公告)号：CN111565033A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010695793.9
申请日：2020-07-20
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03K17/082
摘要： 本发明提供一复合型晶体管器件的过流保护电路，连接于输入端和负载端之间，包括：控制端电压产生模块，用于在第一电压的驱动下使其输出端电压跟随输入端电压变化，产生控制端电压以输出；复合型晶体管器件，连接于控制端电压产生模块和负载端之间，用于在控制端电压及第二电压的作用下导通，产生流经负载端的输出电流；过流保护模块，连接于复合型晶体管器件和负载端之间，用于在输出电流超出电流限定值时向复合型晶体管器件提供钳位电压并利用该电压对流经复合型晶体管器件的电流进行限制，从而对输出电流进行限流。通过本发明解决了现有过流保护电路因感测电阻导致输出电压裕量受限及电路温度过高的问题、因限流反馈环路导致响应速度慢的问题。
-
公开(公告)号：CN114204942B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210135195.5
申请日：2022-02-15
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/46
摘要： 本发明提供一种逐次逼近型模数转换器及转换方法，包括：第一、第二数模转换模块分别接收正相输入信号及反相输入信号，并数模转换；差分比较模块，将第一、第二数模转换模块的输出信号比较，输出第一比较结果；第一校验比较模块，将第一数模转换模块的输出信号与共模电压比较，并输出第二比较结果；第二校验比较模块，将第二数模转换模块的输出信号与共模电压比较，并输出第三比较结果；数字逻辑控制模块，基于第一、第二、第三比较结果产生转换结果及开关切换信号。本发明允许比较器在数模转换单元电压建立不完全时转换，压缩转换时间，提高转换速度；同时可以抑制单个比较器本身的随机误差和亚稳态，也达到了提高转换精度的效果。
-
公开(公告)号：CN114124094B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210083130.0
申请日：2022-01-25
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种模数转换器及权重电容校准方法，包括：逐次逼近型模数转换模块，接收输入信号，并对所述输入信号进行模数转换；锁频环模块，连接所述逐次逼近型模数转换模块中各权重电容单元，分别测量各权重电容的容值，并产生相应的频率信号；计数控制模块，连接于所述锁频环模块的输出端，并接收参考时钟，基于所述参考时钟对所述频率信号计数并产生对应权重控制信号，以对所述逐次逼近型模数转换模块中各权重电容的容值进行校准。本发明对各权重电容的容值大小进行间接测试后进行补偿，权重电容的准确性高；通过参考时钟实现准确测量极校准信息的及时更新，精度高；基于闭环操作实现自动校准。
-
公开(公告)号：CN114204942A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202210135195.5
申请日：2022-02-15
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/46
摘要： 本发明提供一种逐次逼近型模数转换器及转换方法，包括：第一、第二数模转换模块分别接收正相输入信号及反相输入信号，并数模转换；差分比较模块，将第一、第二数模转换模块的输出信号比较，输出第一比较结果；第一校验比较模块，将第一数模转换模块的输出信号与共模电压比较，并输出第二比较结果；第二校验比较模块，将第二数模转换模块的输出信号与共模电压比较，并输出第三比较结果；数字逻辑控制模块，基于第一、第二、第三比较结果产生转换结果及开关切换信号。本发明允许比较器在数模转换单元电压建立不完全时转换，压缩转换时间，提高转换速度；同时可以抑制单个比较器本身的随机误差和亚稳态，也达到了提高转换精度的效果。
-
公开(公告)号：CN114121940A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111412507.4
申请日：2021-11-25
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供一种触发电压可调的ESD保护器件及其制作方法，所述ESD保护结构包括：具有第一导电类型的深阱和功能器件层，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括：第二导电类型的体区；第一导电类型的源极和漏极；栅结构，设置于所述体区的表面上；开口部，所述开口部限定于所述栅结构与所述漏极之间，所述开口部下方还设置有轻掺杂漏区；当静电正电流的涌入使所述源极与沟道区以下的所述体区之间达到开启阈值电压时，引发所述寄生NPN双极晶体管导通。本发明还提供一种触发电压可调的ESD保护器件的制作方法，通过所述方法制作的所述功能器件层位于深阱内，可以与实际CMOS三阱工艺相兼容。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
44 条记录 (耗时 0.04 秒)
