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公开(公告)号：CN113572475A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202111111399.7
申请日：2021-09-23
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/46
摘要： 本发明提供一种循环转换SAR ADC电路、SAR ADC方法，包括：第一采样开关、第二采样开关、第一数模转换单元、第二数模转换单元、残差信号放大反馈单元、比较器及SAR控制逻辑单元。与传统SAR ADC电路架构相比，本发明使用循环转换的方法，反复利用低位数SAR ADC，避开高精度SAR ADC转换需要大量数目的DAC电容以及高精度比较器的设计难题；通过对残差信号放大，降低比较器设计的复杂程度，通过循环转换，减少电容数量，增加单位电容面积满足高精度的匹配要求，比传统SAR ADC电路架构的电容总面积小。
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公开(公告)号：CN113078906A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110628624.8
申请日：2021-06-07
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/38
摘要： 本发明提供一种逐次逼近型模数转换器及其转换方法，所述转换器包括：采样电路，用于首次采样时，基于当前输入信号得到同相端输出电压及反相端输出电压；非首次采样时，基于当前输入信号与其前一次输入信号的差值得到同相端输出电压及反相端输出电压；转换电路，连接于采样电路的输出端，用于对同相端输出电压与反相端输出电压的差值进行模数转换得到每次采样所对应的数字信号；数字控制电路，连接于转换电路的输出端，用于非首次采样时，若当前数字信号对应的权重位在设定低权重位范围内，且二者之差小于设定值时，将下一次采样定义为首次采样。通过本发明提供的逐次逼近型模数转换器及其转换方法，解决了现有SAR ADC转换速率慢的问题。
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公开(公告)号：CN113258931B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110650602.1
申请日：2021-06-11
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/38
摘要： 本发明提供一种SAR ADC电路，包括采样开关电路、第一DAC电容阵列模块、第二DAC电容阵列模块、比较器及逻辑控制电路，通过在SAR ADC电路中额外扩展引入第一DAC电容阵列模块，且由于第一DAC电容阵列模块中的电容的权重位所对应的电容的容值为第二DAC电容阵列模块中的最低权重位所对应的电容的容值，从而可通过第一DAC电容阵列模块以校正第二DAC电容阵列模块中最低权重位所对应的比较器的实际输出，且可推导至第二DAC电容阵列模块没有的0.5LSB权重对应的比较器输出，从而可解决高集成度、高速及高精度的SAR ADC在设计中遇到的瓶颈问题，大大降低了比较器的设计难度，直接提高了SAR ADC的整体转换精度。
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公开(公告)号：CN114171475B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202111435967.9
申请日：2021-11-29
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L27/12 , H01L23/373 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种具有散热结构的SOI晶圆及其制备方法，该SOI晶圆依次包括：体硅晶圆、埋氧层及硅器件层；埋氧层及硅器件层中形成有贯穿埋氧层及至少部分厚度的硅器件层的沟槽，沟槽中填充有高热导率材料，高热导率材料采用散热胶固定；硅器件层包括至少一个有源区，高热导率材料围绕在有源区外周。通过在埋氧层及硅器件层中设置将有源区包围的沟槽，并在沟槽中填充高热导率材料，则热量可通过高热导率材料实现对器件结构的精准散热；另外，随着现有集成电路的三维集成度提高及尺寸的不断减小，采用本发明的散热结构，可将每层集成电路器件产生的热量通过每层中的高热导率材料有效散出，从而有效解决三维集成电路中间层叠区域散热难的问题。
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公开(公告)号：CN114171475A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111435967.9
申请日：2021-11-29
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/373 , H01L29/06 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种具有散热结构的SOI晶圆及其制备方法，该SOI晶圆依次包括：体硅晶圆、埋氧层及硅器件层；埋氧层及硅器件层中形成有贯穿埋氧层及至少部分厚度的硅器件层的沟槽，沟槽中填充有高热导率材料，高热导率材料采用散热胶固定；硅器件层包括至少一个有源区，高热导率材料围绕在有源区外周。通过在埋氧层及硅器件层中设置将有源区包围的沟槽，并在沟槽中填充高热导率材料，则热量可通过高热导率材料实现对器件结构的精准散热；另外，随着现有集成电路的三维集成度提高及尺寸的不断减小，采用本发明的散热结构，可将每层集成电路器件产生的热量通过每层中的高热导率材料有效散出，从而有效解决三维集成电路中间层叠区域散热难的问题。
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公开(公告)号：CN111863804B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010667706.9
申请日：2020-07-13
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/8222
摘要： 本发明提供一种触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法，包括：位于衬底上的深N阱；相邻设置于深N阱内的N阱及P阱；以及，第一P+注入区及第二P+注入区，第一P+注入区设置于N阱内，第二P+注入区设置于N阱及P阱内，第一P+注入区与第二P+注入区之间设置有隔离区；第一P+注入区、N阱及第二P+注入区构成第一PNP三极管，第一P+注入区、N阱及P阱构成第二PNP三极管，N阱与第二P+注入区的接触面积可调。本发明的触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法将击穿电压不同的PNP三极管并联，通过调节并联部分的接触面积实现触发电压的可调；同时基于PNP三极管相当于背靠背的两个二极管结构实现正负信号的双向保护。
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公开(公告)号：CN113258931A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110650602.1
申请日：2021-06-11
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/38
摘要： 本发明提供一种SAR ADC电路，包括采样开关电路、第一DAC电容阵列模块、第二DAC电容阵列模块、比较器及逻辑控制电路，通过在SAR ADC电路中额外扩展引入第一DAC电容阵列模块，且由于第一DAC电容阵列模块中的电容的权重位所对应的电容的容值为第二DAC电容阵列模块中的最低权重位所对应的电容的容值，从而可通过第一DAC电容阵列模块以校正第二DAC电容阵列模块中最低权重位所对应的比较器的实际输出，且可推导至第二DAC电容阵列模块没有的0.5LSB权重对应的比较器输出，从而可解决高集成度、高速及高精度的SAR ADC在设计中遇到的瓶颈问题，大大降低了比较器的设计难度，直接提高了SAR ADC的整体转换精度。
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公开(公告)号：CN111863804A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010667706.9
申请日：2020-07-13
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/8222
摘要： 本发明提供一种触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法，包括：位于衬底上的深N阱；相邻设置于深N阱内的N阱及P阱；以及，第一P+注入区及第二P+注入区，第一P+注入区设置于N阱内，第二P+注入区设置于N阱及P阱内，第一P+注入区与第二P+注入区之间设置有隔离区；第一P+注入区、N阱及第二P+注入区构成第一PNP三极管，第一P+注入区、N阱及P阱构成第二PNP三极管，N阱与第二P+注入区的接触面积可调。本发明的触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法将击穿电压不同的PNP三极管并联，通过调节并联部分的接触面积实现触发电压的可调；同时基于PNP三极管相当于背靠背的两个二极管结构实现正负信号的双向保护。
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公开(公告)号：CN113078906B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110628624.8
申请日：2021-06-07
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/38
摘要： 本发明提供一种逐次逼近型模数转换器及其转换方法，所述转换器包括：采样电路，用于首次采样时，基于当前输入信号得到同相端输出电压及反相端输出电压；非首次采样时，基于当前输入信号与其前一次输入信号的差值得到同相端输出电压及反相端输出电压；转换电路，连接于采样电路的输出端，用于对同相端输出电压与反相端输出电压的差值进行模数转换得到每次采样所对应的数字信号；数字控制电路，连接于转换电路的输出端，用于非首次采样时，若当前数字信号对应的权重位在设定低权重位范围内，且二者之差小于设定值时，将下一次采样定义为首次采样。通过本发明提供的逐次逼近型模数转换器及其转换方法，解决了现有SAR ADC转换速率慢的问题。
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