本发明涉及一种用于处理基板的装置和方法。用于处理基板的装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有处理空间；支承单元，其在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，其将工艺气体供应至所述处理空间中；RF电源，其供应RF信号以将所述工艺气体激发成等离子体；和匹配电路，其连接在所述RF电源与所述工艺腔室之间。所述匹配电路包括：阻抗匹配设备，其执行阻抗匹配；和谐波去除设备，其去除由所述RF电源引起的谐波。当感测到由所述RF电源引起的所述谐波时，所述匹配电路以第一模式操作；当未感测到由所述RF电源引起的所述谐波时，所述匹配电路以第二模式操作。