- 专利标题： 降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构及其制作方法
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申请号： CN202011471670.3申请日： 2020-12-15
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公开(公告)号： CN112289852B公开(公告)日： 2021-05-11
- 发明人: 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ; ; ; ;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,西安电子科技大学,国家电网有限公司,国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,西安电子科技大学,国家电网有限公司,国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ; ; ; ;
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 肖冰滨; 王晓晓
- 主分类号： H01L29/10
- IPC分类号： H01L29/10 ; H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/762
摘要：
本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
公开/授权文献
- CN112289852A 降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构及其制作方法 公开/授权日：2021-01-29
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