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公开(公告)号：CN112289852B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011471670.3
申请日：2020-12-15
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
发明人： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
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公开(公告)号：CN112289852A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011471670.3
申请日：2020-12-15
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
发明人： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
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公开(公告)号：CN112834890B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
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公开(公告)号：CN112834890A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
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公开(公告)号：CN116047138A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211696958.X
申请日：2022-12-28
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善隧穿磁阻元件强磁场稳定性的传感器，包括：隧穿磁阻元件、调理电路和金属线；隧穿磁阻元件用于感应待测电流与负反馈电流共同产生的合成磁场，输出感应电压；调理电路接收感应电压进行调理反馈，输出负反馈电流；金属线设置在隧穿磁阻元件的外围，调理电路输出的负反馈电流流过金属线，金属线在隧穿磁阻元件的外围产生与待测电流磁场相反的磁场。通过实施本发明，调理电路能够基于待测电流输出反馈电流，反馈电流流过金属线能够在隧穿磁阻元件周围产生负反馈磁场，该负反馈磁场能够抵消待测电流流过隧穿磁阻元件时产生的磁场，保护隧穿磁阻元件。
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公开(公告)号：CN113990865A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111619505.2
申请日：2021-12-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，该硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有深阱层，所述深阱层上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第二N+区及第二P+区；所述第一N+区和第二P+区相连，所述第一P+区与所述硅控整流器的阳极相连，所述第二N+区与所述硅控整流器的阴极相连；所述第二P+区最外侧设有场氧结构，所述场氧结构位于所述深阱层的上方。该硅控整流器缩短了通路的距离，提高了防护等级。
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公开(公告)号：CN115436848A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211067437.8
申请日：2022-09-01
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明实施例提供一种磁性隧道结和磁性隧道结传感器，属于传感器技术领域。所述磁性隧道结包括：依次层叠设置的第一电极层、第一磁性层、隧穿势垒层、第二磁性层和第二电极层；其中，所述隧穿势垒层的材料与所述第一磁性层和所述第二磁性层的材料的晶格失配度低于1％。通过本发明实施例，可以减少磁性层和势垒层之间的界面位错和势垒缺陷，增加磁性隧道结的TMR值，提高磁性隧道结的灵敏度以及温度的稳定性。
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公开(公告)号：CN112510143B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011455669.1
申请日：2020-12-10
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供一种纵向结构柔性热电器件及其制造方法，属于热电应用领域。所述器件包括：上基板，具有基板电极；下基板，具有基板电极；p型热电粒子和n型热电粒子，所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排布在所述上基板与所述下基板之间并与所述基板电极焊接固定，每一个p型热电粒子首尾各串接一个n型热电粒子；所述上基板沿其基板电极图案呈分割状态，且分割裂痕与其基板电极无交叉。通过上基板的分割线，使得热电器件具有一定的弯曲能力，解决了目前纵向结构热电器不具备柔性可弯曲性能的问题。
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公开(公告)号：CN112510143A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011455669.1
申请日：2020-12-10
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供一种纵向结构柔性热电器件及其制造方法，属于热电应用领域。所述器件包括：上基板，具有基板电极；下基板，具有基板电极；p型热电粒子和n型热电粒子，所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排布在所述上基板与所述下基板之间并与所述基板电极焊接固定，每一个p型热电粒子首尾各串接一个n型热电粒子；所述上基板沿其基板电极图案呈分割状态，且分割裂痕与其基板电极无交叉。通过上基板的分割线，使得热电器件具有一定的弯曲能力，解决了目前纵向结构热电器不具备柔性可弯曲性能的问题。
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公开(公告)号：CN114499467A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111592037.4
申请日：2021-12-23
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种振荡电路和振荡器，属于集成电路技术领域。所述振荡电路包括：环形振荡单元、稳定频率单元、加速启动单元、输出信号端，所述环形振荡单元，用于产生振荡信号，所述稳定频率单元，用于通过负反馈稳定所述环形振荡器的振荡频率，所述加速启动单元，用于提升所述环形振荡器的起振速度，所述输出信号端，用于输出所述振荡信号。利用高速的加速启动单元提升起振速度，同时利用负反馈技术，得到稳定高精度的振荡频率，解决了传统的电流匮乏模式的三级环形振荡器，起振速度慢和振荡频率不稳定等问题。
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