公开(公告)号：CN112289852B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011471670.3

申请日：2020-12-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王立城 ,  庞振江 ,  彭业凌 ,  张宏涛 ,  任晨 ,  张龙涛 ,  马晓华 ,  曹艳荣 ,  赵扬 ,  周芝梅 ,  万勇 ,  陈琳 ,  杜艳

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。

公开(公告)号：CN112289852A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011471670.3

申请日：2020-12-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王立城 ,  庞振江 ,  彭业凌 ,  张宏涛 ,  任晨 ,  张龙涛 ,  马晓华 ,  曹艳荣 ,  赵扬 ,  周芝梅 ,  万勇 ,  陈琳 ,  杜艳

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。

公开(公告)号：CN113889537B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111482363.X

申请日：2021-12-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  付振 ,  邵瑾 ,  曹艳荣 ,  刘芳 ,  钟明琛 ,  张宏涛 ,  张龙涛 ,  任晨 ,  王敏 ,  马毛旦 ,  张鹏

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。

公开(公告)号：CN113889537A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111482363.X

申请日：2021-12-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  付振 ,  邵瑾 ,  曹艳荣 ,  刘芳 ,  钟明琛 ,  张宏涛 ,  张龙涛 ,  任晨 ,  王敏 ,  马毛旦 ,  张鹏

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。

公开(公告)号：CN113687314B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202110984150.0

申请日：2021-08-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 宋万杰 ,  张璐 ,  沈佳波 ,  陈伯孝 ,  张龙涛

IPC分类号： G01S7/36 ,  G06F17/16

摘要： 本发明公开了一种雷达抗主瓣干扰方法，方法包括：接收雷达多通道的混合信号；针对每个通道的混合信号，对所述混合信号进行去中心化处理得到零均值预处理信号；对所述零均值预处理信号进行等变自适应盲源分离处理得到分离信号；对所述分离信号进行脉冲压缩处理；根据峰值检测方法检测每个通道的脉冲压缩后的分离信号确定目标信号，得到雷达抗主瓣干扰结果。本发明提高了抗主瓣干扰效果。

公开(公告)号：CN113687314A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110984150.0

申请日：2021-08-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 宋万杰 ,  张璐 ,  沈佳波 ,  陈伯孝 ,  张龙涛

IPC分类号： G01S7/36 ,  G06F17/16

摘要： 本发明公开了一种雷达抗主瓣干扰方法，方法包括：接收雷达多通道的混合信号；针对每个通道的混合信号，对所述混合信号进行去中心化处理得到零均值预处理信号；对所述零均值预处理信号进行等变自适应盲源分离处理得到分离信号；对所述分离信号进行脉冲压缩处理；根据峰值检测方法检测每个通道的脉冲压缩后的分离信号确定目标信号，得到雷达抗主瓣干扰结果。本发明提高了抗主瓣干扰效果。