本发明公开了一种BTS型MOSFET结构及其制备方法，该结构通过在体引出区内设置掺杂离子与阱区相同且掺杂浓度超过阱区的二次掺杂区，该二次掺杂区包含体引出有源区与场注入区之间的部分交界区域，且二次掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距离，可以使得场氧区的寄生晶体管的阈值开启电压足够大，即场氧区的杂质浓度足够高，从而有效地抑制寄生晶体管的开启。该方法几乎不影响MOS器件主体区域的浓度，通过该方法能够有效地抑制寄生晶体管效应，显著提高器件的可靠性，形成抗边缘漏电的BTS型MOSFET结构。