发明公开
- 专利标题： 处理方法和等离子体处理装置
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申请号： CN202011046684.0申请日： 2020-09-29
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公开(公告)号： CN112652513A公开(公告)日： 2021-04-13
- 发明人: 池田太郎 , 上田博一 , 镰田英纪 , 芦田光利 , 军司勋男
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳; 刘芃茜
- 优先权： 2019-188105 20191011 JP
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32
摘要：
本发明提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。
