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公开(公告)号：CN112735934B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202011131045.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种控制方法和等离子体处理装置。对使用了相控阵天线的局部等离子体进行控制。作为利用相控阵天线的扫描型的等离子体处理装置的控制方法，具有以下工序：从设置于处理容器的多个部位的观察窗对在所述处理容器的内部生成的等离子体的发光进行观测；基于观测到的与所述等离子体的所述发光有关的数据，来计算表示所述等离子体的特性的值在基板上的面内分布；以及基于计算出的表示所述等离子体的所述特性的值在基板上的面内分布，来对所述等离子体的扫描图案和/或等离子体密度分布进行校正。
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公开(公告)号：CN113140910B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110011263.2
申请日：2021-01-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制天线之间的电磁耦合的阵列天线和等离子体处理装置。阵列天线对等离子体处理装置的腔室内辐射电磁波，包括：多个天线；和隔开间隔地配置于多个上述天线之间的多个防耦合元件，多个上述防耦合元件分别包括：在上述腔室内连接于构成接地面的顶壁的第1部件；和连接于上述第1部件的前端或者其附近的第2部件。
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公开(公告)号：CN113615322B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202080024028.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置中的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置包括腔室、用于在所述腔室内载置基片的载置台、用于辐射多个电磁波的多个辐射部、和配置在多个所述辐射部与所述载置台之间的电介质窗，所述等离子体处理方法的特征在于，包括：在所述载置台上准备基片的工序；控制从多个所述辐射部辐射的多个所述电磁波中的至少任一个电磁波的相位的工序；从多个所述辐射部向所述腔室内辐射多个所述电磁波的工序；和利用从被供给到所述电介质窗与所述载置台之间的气体生成的局部等离子体对所述基片进行处理的工序。
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公开(公告)号：CN113140910A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110011263.2
申请日：2021-01-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制天线之间的电磁耦合的阵列天线和等离子体处理装置。阵列天线对等离子体处理装置的腔室内辐射电磁波，包括：多个天线；和隔开间隔地配置于多个上述天线之间的多个防耦合元件，多个上述防耦合元件分别包括：在上述腔室内连接于构成接地面的顶壁的第1部件；和连接于上述第1部件的前端或者其附近的第2部件。
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公开(公告)号：CN112788826A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011154008.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供与多个天线的配置无关地、能够自由地进行等离子体分布控制的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线单元，其具有对合成空间辐射电磁波的多个天线，并作为相控阵天线发挥作用；对天线单元输出电磁波的电磁波输出部；以及使天线单元作为相控阵天线发挥作用的控制部，天线是螺旋形天线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109982500A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811532348.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，具有能够使等离子体密度增加的构造。该微波等离子体处理装置具有：微波供给部，其供给微波；微波辐射构件，其设置在处理容器的顶壁之上，辐射从所述微波供给部供给的微波；以及包括电介质的微波透过构件，其以封闭所述顶壁的开口的方式设置，并且使经由所述微波辐射构件而通过了缝隙天线的微波透过，其中，在将从所述顶壁的开口透过所述微波透过构件而在该顶壁的表面传输的微波的表面波的波长设为λsp时，在所述顶壁的比所述开口靠外侧的位置形成深度处于λsp/4±λsp/8的范围内的凹部。
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公开(公告)号：CN112447481B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202010861892.X
申请日：2020-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够监视在实施等离子体处理的期间沉积于等离子体生成空间的膜的膜厚的技术。本发明的一方式的等离子体处理装置包括：处理容器；配置于上述处理容器的内部的与高频电源连接的第1电极；与上述第1电极相对地配置在上述处理容器的内部的接地的第2电极；以及与上述第1电极和上述第2电极的至少一个电极连接的膜厚计算部，其计算沉积于上述至少一个电极的膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN112309817B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202010716759.5
申请日：2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视使用金属窗的电感耦合型的等离子体处理装置中等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：主体容器；一个或多个高频天线，所述一个或多个高频天线用于使所述主体容器的内部的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体；多个金属窗，所述多个金属窗配置于所述等离子体生成区域与所述高频天线之间，所述多个金属窗与所述主体容器绝缘，并且所述多个金属窗彼此绝缘；以及等离子体检测部，其与所述多个金属窗的各个金属窗连接，用于检测生成的等离子体的状态。
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公开(公告)号：CN111696844B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202010150236.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
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公开(公告)号：CN112449473B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202010861394.5
申请日：2020-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置、等离子体处理装置和控制方法。本发明的一方式的等离子体探测装置包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件，安装在形成于处理容器的壁的开口部；和透光部，其设置于所述天线部的内部或者是所述天线部的至少一部分，能够使所述真空空间中生成的等离子体的发出光透射到所述大气空间。根据本发明，能够高精度地监视等离子体生成空间中的自由基密度。
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