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公开(公告)号：CN102605344B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210015269.8
申请日：2012-01-17
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
CPC分类号： C23C16/4405
摘要： 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。
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公开(公告)号：CN103229278A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201280003850.6
申请日：2012-01-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/302 , C23F4/00 , H01J27/02 , H01J37/317 , H01L21/3213
CPC分类号： C23F1/02 , C23F1/08 , C23F4/00 , H01J27/026 , H01J37/08 , H01J37/3056 , H01J37/317 , H01J2237/0812 , H01J2237/3174 , H01L21/32136
摘要： 本发明提供一种金属膜的加工方法及加工装置。在利用气体团簇束对形成于被处理体（W）的表面的金属膜（72）进行加工的金属膜的加工方法中，通过将氧化金属膜的元素而形成氧化物的氧化气体、与氧化物反应而形成有机金属络合物的络合化气体以及稀有气体的混合气体绝热膨胀来形成气体团簇束，使气体团簇束碰撞于被处理体的金属膜，从而对金属膜进行蚀刻加工。
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公开(公告)号：CN102605344A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210015269.8
申请日：2012-01-17
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
CPC分类号： C23C16/4405
摘要： 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。
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公开(公告)号：CN101910459B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200880123403.8
申请日：2008-12-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/16 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/4488 , C23C18/08 , H01L21/28556 , H01L21/288
摘要： 本发明提供一种成膜方法，具有：使二价的羧酸金属盐与羧酸反应而生成一价的羧酸金属盐气体的工序；向基板(1)上供给一价的羧酸金属盐气体而沉积一价的羧酸金属盐膜(2)的工序；以及对沉积有一价的羧酸金属盐膜(2)的基板(1)提供能量，将一价的羧酸金属盐膜(2)分解，形成金属膜(3)的工序。
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公开(公告)号：CN102376549A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110219275.0
申请日：2011-07-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 军司勋男
IPC分类号： H01L21/20 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法，在使用固体原料进行成膜的情况下，能够将成膜原料气体稳定地且有效地向基板的表面供给，并且降低微粒污染、杂质向膜中混入的可能性。成膜装置(100)具备收纳晶片(W)的处理容器(1)；加热晶片(W)的基板加热器(11)；保持晶片(W)的保持部件(21)；作为原料支承部的工作台(31)；以及加热固体原料的原料加热器(41)。在成膜装置(100)中，例如在工作台(31)上一边加热固体原料(A)一边使该固体原料与其他的气化促进气体反应，并将生成的成膜原料气体供给到保持在保持部件(21)的晶片(W)的下表面(被处理面)，使该成膜原料气体在晶片(W)的表面热分解而形成薄膜。
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公开(公告)号：CN101910459A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880123403.8
申请日：2008-12-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/16 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/4488 , C23C18/08 , H01L21/28556 , H01L21/288
摘要： 本发明提供一种成膜方法，具有：使二价的羧酸金属盐与羧酸反应而生成一价的羧酸金属盐气体的工序；向基板(1)上供给一价的羧酸金属盐气体而沉积一价的羧酸金属盐膜(2)的工序；以及对沉积有一价的羧酸金属盐膜(2)的基板(1)提供能量，将一价的羧酸金属盐膜(2)分解，形成金属膜(3)的工序。
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公开(公告)号：CN112652513A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011046684.0
申请日：2020-09-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。
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公开(公告)号：CN101646804B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200880010406.0
申请日：2008-03-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4585
摘要： 本发明提供一种CVD成膜装置。该成膜装置通过加热机构加热被载置在载置台22的晶片W，同时使成膜用的气体在晶片的表面发生反应通过CVD在晶片W上形成规定的膜，该成膜装置具备具有母材24a和设置在母材的至少背面侧的低辐射率膜24b的覆盖部件24，该覆盖部件覆盖载置台22的晶片W的外侧部分。
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公开(公告)号：CN101646804A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010406.0
申请日：2008-03-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4585
摘要： 本发明提供一种CVD成膜装置。该成膜装置通过加热机构加热被载置在载置台22的晶片W，同时使成膜用的气体在晶片的表面发生反应通过CVD在晶片W上形成规定的膜，该成膜装置具备具有母材24a和设置在母材的至少背面侧的低辐射率膜24b的覆盖部件24，该覆盖部件覆盖载置台22的晶片W的外侧部分。
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