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公开(公告)号：CN102404891B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110271883.6
申请日：2011-09-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H05B6/64 , H05B6/66 , H01L21/67 , H01L21/268
CPC分类号： H05B6/68 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H05B6/806 , H05B2206/04 , Y02B40/143
摘要： 本发明的目的在于提供一种使用多个磁控管以减少反射电力，从而能够照射微波的微波照射装置以及微波照射方法。微波照射装置100包括：收纳被处理体的腔室1；通过供给电压使其产生微波，将该微波照射在所述腔室1内的被处理体上的多个磁控管10a、10b；以及向这些多个磁控管10a、10b供给脉冲状电压的电源部20，电源部20按照被分别供给多个磁控管10a、10b的脉冲状电压的电压脉冲彼此在时间上不重叠的方式供给电压。
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公开(公告)号：CN102169789B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110048605.4
申请日：2011-02-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 芦田光利
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32183
摘要： 本发明提供自动匹配装置和等离子体处理装置。在自动匹配动作中，不会导致不必要的速度降低和小振荡地能够在短时间内高效确立实质的匹配状态。在第二匹配算法中，在阻抗坐标上使与第一或第二基准线C1S，C2S正交的第三基准线TC1S或TC2S为动作点移动控制的目标，在C1坐标轴或C2坐标轴上使动作点Zp例如按照Zp(7)→Zp(8)→Zp(9)移动。动作点Zp(9)的坐标位置是非常接近原点O(匹配点ZS)的能够实现的最佳模拟的匹配点ZB，在该位置上停止动作点ZP的移动。
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公开(公告)号：CN108573848A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810185127.3
申请日：2018-03-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 芦田光利
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供了一种输出的高频的功率和相位的控制的精度高的高频发生器。在一个实施方式的高频发生器中，通过由矢量乘法器进行的IQ调制和由放大器进行的放大而生成的高频被输出部输出。定向耦合器输出包含行波的一部分的第一高频和包含反射波的一部分的第二高频。控制部通过包含4个多项式的运算的第一矩阵运算，来求取输出部的行波的同相成分和正交成分以及反射波的同相成分和正交成分的各自的推算值，其中，4个多项式的每一个包括第一高频的同相成分和正交成分以及第二高频的同相成分和正交成分作为多个变量。控制部基于这些的推算值，决定用于矢量乘法器的IQ调制的同相信号的电平和正交信号的电平。
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公开(公告)号：CN103021907A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210359879.X
申请日：2012-09-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 芦田光利
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/268
CPC分类号： H01J37/32302 , H01J37/32266
摘要： 本发明是在微波处理装置中对被处理体进行均匀的处理的微波处理装置和处理方法。微波处理装置（1）包括：收容晶片（W）的处理容器（2）；微波导入装置（3），其具有生成用于处理晶片（W）的微波的至少一个磁控管（31），并将微波导入处理容器（2）中；和控制微波导入装置（3）的控制部（8）。控制部（8）在用于处理晶片（W）的状态持续的期间，使微波的频率变化。
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公开(公告)号：CN102404891A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110271883.6
申请日：2011-09-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H05B6/64 , H05B6/66 , H01L21/67 , H01L21/268
CPC分类号： H05B6/68 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H05B6/806 , H05B2206/04 , Y02B40/143
摘要： 本发明的目的在于提供一种使用多个磁控管以减少反射电力，从而能够照射微波的微波照射装置以及微波照射方法。微波照射装置100包括：收纳被处理体的腔室1；通过供给电压使其产生微波，将该微波照射在所述腔室1内的被处理体上的多个磁控管10a、10b；以及向这些多个磁控管10a、10b供给脉冲状电压的电源部20，电源部20按照被分别供给多个磁控管10a、10b的脉冲状电压的电压脉冲彼此在时间上不重叠的方式供给电压。
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公开(公告)号：CN113193324A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110067295.4
申请日：2021-01-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供定向耦合器、处理基片的装置和处理基片的方法，能够使作为副线路的耦合线路与作为定向耦合器的主线路的中心导体疏耦合，并且得到良好的定向特性。在定向耦合器中，中空同轴线路包括构成主线路的中心导体和以包围中心导体的周围的方式设置的形成有开口部的外部导体，电介质基片以覆盖开口部的方式设置，并设置有接地的膜状的接地导体，该接地导体分别覆盖隔着上述开口部与上述中心导体相对的背面侧和与上述背面侧相反的正面侧。耦合线路是设置于由上述背面侧的上述接地导体包围的区域内设置的副线路。并且，在正面侧的上述接地导体，设置有将隔着上述电介质基片与上述耦合线路相对的区域内的导体膜的一部分去除而得的导体去除部。
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公开(公告)号：CN111756338A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010194918.X
申请日：2020-03-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供高频供给装置和高频电功率的供给方法。该高频供给装置包括：将从振荡器供给的高频放大而供给到负载的放大部；检测从放大部供给到负载的电流、电压或者电功率的参数的参数检测部；供给驱动放大部的驱动电流的电流供给部；指令信号输出部，其基于检测到的参数，输出改变放大部的放大率的指令信号以使得该参数成为目标值；以及第1异常检测部或者第2异常检测部，其中第1异常检测部监视指令信号来检测是否存在异常，第2异常检测部包含检测驱动电流的电流检测部和存储该驱动电流的上限值及下限值的电流数据存储部，并基于该上限值和下限值检测是否存在异常。本发明能够在供给高频电功率时掌握放大部的劣化或者检测器的异常。
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公开(公告)号：CN103000554A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210330294.5
申请日：2012-09-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 芦田光利
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/268
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32247 , H05H2001/4682
摘要： 本发明提供一种微波处理装置及其控制方法，能够使多个微波源与处理容器之间的阻抗匹配的精度提高。微波处理装置（1）具备：收容晶片（W）的处理容器（2）；生成用于处理晶片（W）的微波并导入到处理容器（2）的微波导入装置（3）；和控制微波导入装置（3）的控制部（8）。微波导入装置（3）具有：生成微波的多个磁控管（31）；和将在多个磁控管（31）中生成的微波传送到处理容器（2）的多个波导管（32），多个微波能够同时被导入处理容器（2）。控制部（8）在将多个微波同时导入处理容器（2）的第一状态继续的期间，有选择地且暂时地切换为在多个磁控管（31）中的1个中生成微波，仅将该微波导入处理容器（2）的第二状态。
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公开(公告)号：CN113193324B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110067295.4
申请日：2021-01-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供定向耦合器、处理基片的装置和处理基片的方法，能够使作为副线路的耦合线路与作为定向耦合器的主线路的中心导体疏耦合，并且得到良好的定向特性。在定向耦合器中，中空同轴线路包括构成主线路的中心导体和以包围中心导体的周围的方式设置的形成有开口部的外部导体，电介质基片以覆盖开口部的方式设置，并设置有接地的膜状的接地导体，该接地导体分别覆盖隔着上述开口部与上述中心导体相对的背面侧和与上述背面侧相反的正面侧。耦合线路是设置于由上述背面侧的上述接地导体包围的区域内设置的副线路。并且，在正面侧的上述接地导体，设置有将隔着上述电介质基片与上述耦合线路相对的区域内的导体膜的一部分去除而得的导体去除部。
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公开(公告)号：CN112652513A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011046684.0
申请日：2020-09-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。
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