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公开(公告)号：CN101604624A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910147338.9
申请日：2009-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/455 , C23C14/34
CPC classification number: C23C16/4558
Abstract: 本发明提供一种气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法。气环能从各气体喷出口均匀地喷出气体。气环(11)为环状，包括：将气体从外部导入到气环(11)内的气体导入口(12a)、(12b)；喷出从气体导入口(12a)、(12b)导入的气体的多个气体喷出口(18a)～(18h)；从气体导入口(12a)、(12b)到各气体喷出口(18a)～(18h)沿环状延伸的多个分支路(21a)～(21f)。在此，从各气体喷出口(18a)～(18h)到作为各分支路(21a)～(21f)的分支点的中央部(23a)、(23d)的距离分别相等。
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公开(公告)号：CN115443523A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180029630.X
申请日：2021-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B05D3/12 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本公开的一方式涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：在基板上涂布包含离子液体的液体材料以形成保护膜的工序；将形成有上述保护膜的上述基板进行大气输送的工序；以及从被大气输送的上述基板除去上述保护膜的工序。
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公开(公告)号：CN108220922B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201711274133.8
申请日：2017-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/517 , C23C16/455 , C23C16/28
Abstract: 本发明涉及应用于半导体装置的成膜方法、硼膜以及成膜装置。在被调整为处理容器(2)内为0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范围内的压力的处理氛围中供给包含含硼气体的反应气体、例如B2H6气体和He气体，并使反应气体等离子体化。利用该等离子体，在晶圆形成硼膜。通过利用等离子体的能量进行成膜，能够使成膜处理时的温度下降，由此能够抑制热的影响地形成硼膜。硼膜的蚀刻耐性强、具备高的蚀刻选择比，因此作为半导体装置材料是有用的。
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公开(公告)号：CN102326236A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980157258.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J2237/2001 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L29/51 , H01L29/7833
Abstract: 一种硅氧化膜的成膜方法，其包含：在将保持被处理基板(W)的保持台(34)的表面温度保持在300℃以下的状态下，向处理容器(32)内供给硅化合物气体、氧化性气体及稀有气体，在处理容器(32)内生成微波等离子体而在被处理基板(W)形成硅氧化膜的工序；向处理容器(32)内供给氧化性气体及稀有气体，在处理容器(32)内生成微波等离子体，对形成于被处理基板(W)上的硅氧化膜进行等离子体处理的工序。
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公开(公告)号：CN101604624B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910147338.9
申请日：2009-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/455 , C23C14/34
CPC classification number: C23C16/4558
Abstract: 本发明提供一种气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法。气环能从各气体喷出口均匀地喷出气体。气环(11)为环状，包括：将气体从外部导入到气环(11)内的气体导入口(12a)、(12b)；喷出从气体导入口(12a)、(12b)导入的气体的多个气体喷出口(18a)～(18h)；从气体导入口(12a)、(12b)到各气体喷出口(18a)～(18h)沿环状延伸的多个分支路(21a)～(21f)。在此，从各气体喷出口(18a)～(18h)到作为各分支路(21a)～(21f)的分支点的中央部(23a)、(23d)的距离分别相等。
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公开(公告)号：CN118451538A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202280086614.9
申请日：2022-12-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , C23C16/505 , H01L21/31 , H01L21/677
Abstract: 本发明的判定方法包括：对形成有包含凹部的图案，在凹部进行了填埋材料的填埋的基板进行分光测量，测量填埋了填埋材料的基板的吸光度光谱的工序；和基于所测量的基板的吸光度光谱的多个波数下的强度的积分值，判定凹部的填埋状态的工序。
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公开(公告)号：CN108987262B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201810602823.X
申请日：2018-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供能够容易地除去硼膜并且能够局部选择性地除去微小部分的硼膜的除去方法和能够形成硼膜的微小图案的图案形成方法。包括：在氧化气氛下对通过CVD形成于基片上的硼膜整体地或者局部地进行热处理，使经过热处理的部分氧化的步骤；和利用水或者含有电解质离子的水溶液对硼膜的被氧化的部分进行除去的步骤。
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公开(公告)号：CN112652513A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011046684.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。
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公开(公告)号：CN102027580A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980117522.7
申请日：2009-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L21/8247 , H01L23/522 , H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/76224 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/28273 , H01L21/31612
Abstract: 将硅化合物气体、氧化气体、以及稀有气体供应至等离子体处理设备(1)的腔(2)内。将微波供应至腔(2)内，并利用由微波产生的等离子体在目标衬底上形成氧化硅膜。稀有气体的分压比率是硅化合物气体、氧化气体和稀有气体的总气体压力的10％或更小，并且硅化合物气体和氧化气体的有效流率(氧化气体/硅化合物气体)不小与3但不大于11。
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公开(公告)号：CN110318034A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910242435.X
申请日：2019-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/28 , C23C16/38 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种硼系膜的成膜方法和成膜装置，能够得到具有适合作为硬掩膜的特性的硼系膜。一种硼系膜的成膜方法，用于在基板上形成以硼为主体的硼系膜，包括以下工序：第一工序，将基板搬入到成膜装置的腔室内，该成膜装置用于通过利用电容耦合等离子体的等离子体CVD来形成硼系膜；第二工序，向腔室内供给含有含硼气体的处理气体；第三工序，施加用于生成电容耦合等离子体的高频电力；以及第四工序，利用高频电力生成处理气体的等离子体，来在基板上形成硼系膜，其中，通过第三工序的高频电力的功率来调整硼系膜的膜应力。
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