Invention Grant
- Patent Title: 一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法
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Application No.: CN202110395190.1Application Date: 2021-04-13
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Publication No.: CN113130744BPublication Date: 2023-04-07
- Inventor: 马国坤 , 桃李 , 万厚钊 , 段金霞 , 饶毅恒 , 董文静 , 刘能帆 , 陈傲 , 王浩
- Applicant: 湖北大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
- Assignee: 湖北大学
- Current Assignee: 湖北大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
- Agency: 北京金智普华知识产权代理有限公司
- Agent 张文俊
- Main IPC: H10N70/20
- IPC: H10N70/20 ; H10B63/00
Abstract:
本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法，该选通器件包括底电极；转变层，位于底电极一侧表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为m，0.1％≤m＜1.5％。本发明的基于铝掺杂氧化铌的选通器件，转变层为铝掺杂氧化铌薄膜，通过铝掺杂提升了氧化铌高阻态的势垒，增加高阻态电阻，相比传统的转换层为氧化铌的选通管具有更高的选通比。
Public/Granted literature
- CN113130744A 一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法 Public/Granted day:2021-07-16
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