-
公开(公告)号：CN113113538B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110395182.7
申请日：2021-04-13
申请人： 湖北大学
摘要： 且抗串扰阻变器件的阈值电压和电阻稳定性均本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的抗 有提升。串扰阻变器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转变层，位于底电极表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为1.5～5％。本发明的抗串扰阻变器件，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，通过高浓度铝掺杂提升抗串扰阻变器件的稳定性，铝原子可以起到固定五氧化二铌区域导电丝的作用，极大增加抗串扰阻变器件的耐受性；相比传统的1S1R器
-
公开(公告)号：CN111223986A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010037678.2
申请日：2020-01-14
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明公开了一种基于氧化铪转变层的银插层选通器件及其制造方法，属于微电子技术领域。本发明的选通器件从下至上依次包括底电极层、转变层、银插层和顶电极层；其中：所述底电极材料为氮化钛、钛或铂中的任一种，所述转变层材料为氧化铪薄膜，所述顶电极材料为金属钨、钛或铂中的任一种。本发明制备的选通器件展现了十分小的漏电流，达到pA级别；并且其低阻态电流和高阻态电流之比超过107，展现了非常高的非线性度。另外，本发明的选通器件还展示了明显的双向阈值选通特性，有利于器件的集成。
-
公开(公告)号：CN113130744A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110395190.1
申请日：2021-04-13
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法，该选通器件包括底电极；转变层，位于底电极一侧表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为m，0.1％≤m＜1.5％。本发明的基于铝掺杂氧化铌的选通器件，转变层为铝掺杂氧化铌薄膜，通过铝掺杂提升了氧化铌高阻态的势垒，增加高阻态电阻，相比传统的转换层为氧化铌的选通管具有更高的选通比。
-
公开(公告)号：CN113130744B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110395190.1
申请日：2021-04-13
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法，该选通器件包括底电极；转变层，位于底电极一侧表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为m，0.1％≤m＜1.5％。本发明的基于铝掺杂氧化铌的选通器件，转变层为铝掺杂氧化铌薄膜，通过铝掺杂提升了氧化铌高阻态的势垒，增加高阻态电阻，相比传统的转换层为氧化铌的选通管具有更高的选通比。
-
公开(公告)号：CN113113538A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110395182.7
申请日：2021-04-13
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的抗串扰阻变器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转变层，位于底电极表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为1.5～5％。本发明的抗串扰阻变器件，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，通过高浓度铝掺杂提升抗串扰阻变器件的稳定性，铝原子可以起到固定五氧化二铌区域导电丝的作用，极大增加抗串扰阻变器件的耐受性；相比传统的1S1R器件，可减少集成中的光刻及刻蚀步骤，降低工艺复杂度，节约成本；相比纯氧化铌阻变器件，本申请的的抗串扰阻变器件，耐受性有极大提升，并且抗串扰阻变器件的阈值电压和电阻稳定性均有提升。
-
公开(公告)号：CN111223986B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202010037678.2
申请日：2020-01-14
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明公开了一种基于氧化铪转变层的银插层选通器件及其制造方法，属于微电子技术领域。本发明的选通器件从下至上依次包括底电极层、转变层、银插层和顶电极层；其中：所述底电极材料为氮化钛、钛或铂中的任一种，所述转变层材料为氧化铪薄膜，所述顶电极材料为金属钨、钛或铂中的任一种。本发明制备的选通器件展现了十分小的漏电流，达到pA级别；并且其低阻态电流和高阻态电流之比超过107，展现了非常高的非线性度。另外，本发明的选通器件还展示了明显的双向阈值选通特性，有利于器件的集成。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.018 秒)
