本发明涉及一种负电容场效应晶体管及其制备方法、一种半导体器件，负电容场效应晶体管包括：衬底；纳米片堆栈部，其设置在所述衬底上，形成多个导电沟道；纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是第一半导体形成的，纳米片是第二半导体形成的；所述纳米片的宽度大于支撑结构的宽度；环绕式栅极，其环绕于纳米堆栈部周围；所述环绕式栅极包括铁电层。负电容场效应晶体管可以显著降低器件的亚阈值摆幅；同时多层堆叠的纳米片结构可以增加负电容场效应晶体管的工作电流和栅控性能；具由支撑结构的纳米片降低了多层栅介质在纳米片间的填充要求，并可以有效减小器件的漏电特性。