- 专利标题: 薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板
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申请号: CN202110665949.3申请日: 2021-06-16
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公开(公告)号: CN113394299B公开(公告)日: 2024-08-06
- 发明人: 吴昊 , 关峰 , 吕杨 , 赵梦 , 宋梦亚 , 李超 , 杜建华 , 王超璐
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理商 曹娜
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L27/12 ; H01L21/77 ; H10K59/121
摘要:
本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中,有源结构包括具有第一设计尺寸的硅纳米线,在薄膜晶体管的制备过程中,硅纳米线可由具有设计直径的引导颗粒的引导下形成,通过改变引导颗粒的设计直径,可以制备得到具有相应设计尺寸的硅纳米线。因此,能够避免使用掩模工艺制备硅纳米线,从而能够降低薄膜晶体管的生产成本。而且,相较于现有的有源结构,硅纳米线具有载流子迁移率高、均匀性高的特点,从而能够提高薄膜晶体管的性能,能够降低薄膜晶体管的功耗。
公开/授权文献
- CN113394299A 薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板 公开/授权日:2021-09-14
IPC分类: