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公开(公告)号：CN113394299B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202110665949.3
申请日：2021-06-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/12 , H01L21/77 , H10K59/121
摘要： 本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，有源结构包括具有第一设计尺寸的硅纳米线，在薄膜晶体管的制备过程中，硅纳米线可由具有设计直径的引导颗粒的引导下形成，通过改变引导颗粒的设计直径，可以制备得到具有相应设计尺寸的硅纳米线。因此，能够避免使用掩模工艺制备硅纳米线，从而能够降低薄膜晶体管的生产成本。而且，相较于现有的有源结构，硅纳米线具有载流子迁移率高、均匀性高的特点，从而能够提高薄膜晶体管的性能，能够降低薄膜晶体管的功耗。
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公开(公告)号：CN117116950A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311101661.9
申请日：2023-08-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , H10K59/121
摘要： 本申请公开一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，包括位于电容区域内的第一薄膜晶体管以及位于非电容区域内的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括依次层叠设置的基板、第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、第二栅绝缘层以及第一源漏电极，所述第一源漏电极与所述第一有源层连接；所述第一有源层包括轻掺杂区；所述第二栅绝缘层包括中心部和边缘部，所述中心部整面覆盖所述第一栅极，所述边缘部在所述基板上的正投影与所述轻掺杂区在所述基板上的正投影重合。
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公开(公告)号：CN115394792A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211061021.5
申请日：2022-08-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开的实施例提供了一种背板、制备方法及显示装置，涉及显示技术领域，用于提高背板驱动的显示装置的分辨率。该背板包括绝缘层、第一薄膜晶体管与第一薄膜晶体管。所述绝缘层具有相互平行且不共面的第一表面与第二表面，以及连接所述第一表面与所述第二表面的连接侧面。所述第一薄膜晶体管包括位于所述第一表面的第一有源层；所述第二薄膜晶体管包括位于所述第二表面的第二有源层。其中，所述第一有源层和所述第二有源层均靠近所述连接侧面设置；在向所述第一表面的正投影中，所述第一有源层和所述第二有源层之间的间距小于2.5μm。上述背板用于显示图像。
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公开(公告)号：CN113725390A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111005700.6
申请日：2021-08-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于提高显示基板的分辨率和良率。制备方法包括：提供背板；利用光刻工艺，得到像素界定层；形成层叠的牺牲层和光刻胶层，其中，光刻胶层具有多个第二开口，第一开口在背板上的正投影位于第二开口在背板上的正投影范围内；在光刻胶层远离背板的一侧依次形成发光薄膜、第一功能薄膜以及封装薄膜；对牺牲层进行剥离，去除牺牲层、光刻胶层以及发光薄膜、第一功能薄膜及封装薄膜中位于光刻胶层远离背板一侧表面的部分，保留发光薄膜、第一功能薄膜及封装薄膜中位于第二开口内的部分。本发明实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置用于图像显示。
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公开(公告)号：CN118299381A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310002468.3
申请日：2023-01-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明实施例公开一种显示基板、制备方法和显示装置，本实施例的显示基板包括衬底；和设置在所述衬底上的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管、以及第一电容器，其中所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极电极复用为所述氧化物薄膜晶体管的栅极电极、并且复用为所述第一电容器的第一电极。本实施例的顶栅型低温多晶硅薄膜晶体管的栅极电极直接用作底栅型氧化物薄膜晶体管的栅极电极，节省了氧化物薄膜晶体管的栅极金属、以及栅极连接过孔并由此减小了Micro‑LED像素驱动电路的占用面积，能够显著提高Micro‑LED的分辨率。
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公开(公告)号：CN117241624A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311438039.7
申请日：2023-10-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H10K59/131 , H10K59/121 , H10K59/12
摘要： 本公开的实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，以缩减像素驱动电路占用的面积，提升显示面板的分辨率。该显示基板包括像素驱动电路，至少一个像素驱动电路包括第一低温多晶硅晶体管和第二低温多晶硅晶体管，第一低温多晶硅晶体管包括第一有源部，第二低温多晶硅晶体管包括第二有源部。显示基板还包括依次设置的衬底、第一半导体层、第一导电层、第一平坦层、第二半导体层和第二导电层。第一半导体层包括第一有源部。第一导电层包括第一栅线。第二半导体层包括第二有源部。第二有源部和第一有源部在衬底上的正投影至少部分交叠。上述显示基板用于制备显示面板。
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公开(公告)号：CN115734643A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211645572.6
申请日：2022-12-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/818 , H10K50/81 , H10K59/122 , H10K71/00
摘要： 本申请提供一种显示面板及其制备方法和显示装置，显示面板包括：衬底基板、第一像素界定层、反射电极层、第一结构层以及第二像素界定层；第一像素界定层包括第一开口区域以及围绕第一开口区域的第一挡墙；反射电极层包括底表面和侧表面；第一结构层包括覆盖底表面的导体区域和至少部分覆盖侧表面的非导体区域；第二像素界定层设置于第一像素界定层远离衬底基板的一侧。本申请提供的显示面板及其制备方法和显示装置，第二像素界定层可不再设置于第一开口区域内，能够使有效发光区的范围更大，实现提高显示面板亮度的功能。
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公开(公告)号：CN115274554A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210713793.6
申请日：2022-06-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种驱动电路的制作方法、驱动电路及显示模组，该驱动电路的制作方法包括：在基板上形成第一多晶硅层图案；在第一多晶硅层图案上形成具有搭接孔的绝缘层，第一多晶硅层图案在搭接孔处露出；采用沉积非晶硅的同时进行重掺杂工艺，在绝缘层上形成具有导电性的第一预制非晶硅层，第一预制非晶硅层通过搭接孔与第一多晶硅层图案层搭接；将第一预制非晶硅层转化为第一预制多晶硅层，第一预制多晶硅层具有第一沟道预制区以及位于第一沟道预制区两侧的第一导电区，第一导电区在绝缘层上的正投影覆盖搭接孔；对第一沟道预制区进行半导体化，并形成第二多晶硅层图案。该制作方法能够使得第一多晶硅层图案与第二多晶硅层图案有效搭接。
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公开(公告)号：CN113394299A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110665949.3
申请日：2021-06-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，有源结构包括具有第一设计尺寸的硅纳米线，在薄膜晶体管的制备过程中，硅纳米线可由具有设计直径的引导颗粒的引导下形成，通过改变引导颗粒的设计直径，可以制备得到具有相应设计尺寸的硅纳米线。因此，能够避免使用掩模工艺制备硅纳米线，从而能够降低薄膜晶体管的生产成本。而且，相较于现有的有源结构，硅纳米线具有载流子迁移率高、均匀性高的特点，从而能够提高薄膜晶体管的性能，能够降低薄膜晶体管的功耗。
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