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公开(公告)号：CN118575273A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202280001530.0
申请日：2022-05-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L29/786
摘要： 本公开提供一种射线探测器及制备方法、电子设备，属于半导体技术领域，可解决制备成本高的问题。本公开射线探测器制备方法，其包括：在衬底的第一表面制备缓冲层；其中，衬底的第一表面包括第一区域和第二区域；在缓冲层背离衬底的表面制备共享层；对第一区域对应的共享层进行处理，获得薄膜晶体管的有源层；对第二区域对应的共享层进行处理，获得光电二极管的吸收层。
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公开(公告)号：CN118281011A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410383094.9
申请日：2024-03-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源区，第二薄膜晶体管包括第二有源区，阵列基板包括：衬底；第一半导体层，设置在衬底的一侧，包括第一有源区；第二半导体层，设置在第一半导体层背离衬底的一侧，包括第二有源区，第二有源区在衬底上的正投影与第一有源区在衬底上的正投影至少部分交叠；第一导电层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间，包括栅极区，在衬底上的正投影中，栅极区分别与第一有源区以及第二有源区至少部分交叠，第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管共用栅极区。
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公开(公告)号：CN117998906A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410190549.5
申请日：2024-02-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H10K59/121 , H10K59/12 , H01L29/36 , H01L27/12 , H01L27/15 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本公开的实施例提供了一种驱动背板及制备方法和显示装置，涉及显示技术领域，提高晶体管的性能。该显示面板包括驱动背板包括衬底和第一半导体层。第一半导体设置于衬底上，且包括多个有源层图案；有源层图案包括源极区、漏极区和沟道区，沟道区设置于源极区和漏极区之间，沟道区的氢离子浓度大于或者等于1×10^21atoms/cm^3。上述驱动背板用于显示装置中。
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公开(公告)号：CN117643191A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202280002003.1
申请日：2022-06-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/00 , H10K59/123
摘要： 本公开提供一种显示基板及显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的多个像素单元；像素单元包括像素驱动电路；像素驱动电路至少包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；第一半导体层、第一导电层、第二导电层和第二半导体层依次设置在衬底基板上；第一半导体层包括第一薄膜晶体管的第一有源层；第一有源层包括第一源区、第一漏区和第一沟道区；第一导电层包括第一薄膜晶体管的第一栅极；第二导电层包括第一转接电极，第一转接电极通过第一连接过孔与第一源区电连接；第二半导体层包括第二薄膜晶体管的第二有源层；第二有源层包括第二源区、第二漏区和第二沟道区；第二源区通过第二连接过孔与第一转接电极电连接。
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公开(公告)号：CN111785852B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010721807.X
申请日：2020-07-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置，通过将阴极中位于透过区的第二阴极部的厚度设置成小于阴极中位于连接区的第一阴极部的厚度，相比于相关技术中各个位置的阴极厚度相同的方案，本发明可以将阴极中位于透过区的第二阴极部的厚度做得比相关技术中透过区位置处的阴极薄，而将阴极中位于连接区的第一阴极部的厚度做得比相关技术中连接区位置处的阴极厚，因此本发明的方案在整体上不会增加阴极电阻，并且可以提高透过区的透过率，从而可以提高全面屏OLED屏下摄像的性能。
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公开(公告)号：CN111509140B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010358332.2
申请日：2020-04-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/858 , H10K71/00 , H10K59/12
摘要： 本公开的实施例公开了一种显示用基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以改善显示装置中发光器件的出光效果，进而提高其显示效果。显示用基板包括背板、像素界定层、发光层和光取出层。其中，像素界定层设置于背板上，像素界定层具有多个开口区域。发光层设置于背板上，每个开口区域内设置有发光层的至少一部分。光取出层设置于发光层远离背板一侧，光取出层中位于开口区域内的部分形成光学透镜，光学透镜的不同位置处的厚度不完全相等，以改变来自发光层且经过开口区域的至少一部分光线的传播方向。上述显示用基板应用于显示装置中，以使显示装置显示画面。
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公开(公告)号：CN112349760B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011162233.3
申请日：2020-10-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K59/122 , H10K59/35 , H10K71/00 , H10K50/842
摘要： 本公开提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，用以减小发光层制作过程中的剥离时间、降低剥离过程对发光材料的损伤，同时避免不同子像素间串色。本公开实施例提供的一种显示面板，所述显示面板包括：衬底；像素定义层，位于所述衬底之上，包括阵列排布的多个开口区；发光层，至少在所述开口区位于所述衬底之上；间隔层，位于所述像素定义层之上，且与相邻的所述发光层之间相互断开。
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公开(公告)号：CN111524952B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202010376892.0
申请日：2020-05-07
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 一种显示基板，包括：柔性基底，柔性基底上设置有彼此隔开的多个岛区、多个孔区以及连接相邻岛区的桥区；在与孔区相邻的桥区或与孔区相邻的桥区和岛区设置有封装阻隔区域。封装阻隔区域包括：在柔性基底上叠设的第一结构层、有机绝缘层以及第一无机封装层；第一结构层具有限位槽区，限位槽区包括至少一个限位槽；有机绝缘层和第一无机封装层覆盖限位槽区形成坝。
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公开(公告)号：CN114628409A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210267335.4
申请日：2022-03-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示面板，用以解决现有技术中存在的双层LTPS薄膜晶体管的过孔搭接不良的技术问题，该显示基板包括：位于衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管的有源层位于所述衬底基板与所述第二薄膜晶体管的有源层之间的膜层，且所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层之间具有至少一层第一绝缘层，所述至少一层第一绝缘层具有贯穿厚度方向的第一过孔，所述第二薄膜晶体管的第一极通过所述第一过孔与所述第一薄膜晶体管的有源层电连接，所述第二薄膜晶体管的第一极的材料为富含磷元素的非晶硅。
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公开(公告)号：CN114373771A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111638998.4
申请日：2021-12-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种阵列基板、制作方法及显示装置，阵列基板包括相邻第一区域和第二区域，在第一区域中第一低温多晶硅层、中间膜层和第二低温多晶硅层沿第一方向堆叠设置；在第二区域中第一低温多晶硅层和衬底基板之间设置有支撑柱，第一低温多晶硅层被支撑柱的顶起部分包括第一连接部，第二低温多晶硅层包括位于第二区域与第一连接部连接的第二连接部；第二连接部沿第一方向的延伸距离，小于第一低温多晶硅层和第二低温多晶硅层在第一区域的间距。如此设计，能够缩小过孔的深度甚至省去过孔后直接相连，从而使第二低温多晶硅层在制作过程中，在ELA设备进行激光照射时吸收更多激光能量，改善晶化质量；在导体化后保证电阻正常，提高产品良率。
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