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公开(公告)号：CN113748521B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202080000424.1
申请日：2020-03-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、离子化非晶硅层、源极和漏极；所述栅绝缘层覆盖于所述栅极上；所述有源层设置于所述栅绝缘层远离所述栅极一侧；所述离子化非晶硅层设置于所述有源层远离所述栅极一侧，所述离子化非晶硅层与所述栅绝缘层接触；所述源极和所述漏极设置于所述离子化非晶硅层远离所述栅绝缘层一侧，所述源极和所述漏极通过所述离子化非晶硅层与所述有源层耦接。
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公开(公告)号：CN113725390B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202111005700.6
申请日：2021-08-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K71/16 , H10K59/12 , H10K59/122 , H10K50/844
摘要： 本发明实施例公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于提高显示基板的分辨率和良率。制备方法包括：提供背板；利用光刻工艺，得到像素界定层；形成层叠的牺牲层和光刻胶层，其中，光刻胶层具有多个第二开口，第一开口在背板上的正投影位于第二开口在背板上的正投影范围内；在光刻胶层远离背板的一侧依次形成发光薄膜、第一功能薄膜以及封装薄膜；对牺牲层进行剥离，去除牺牲层、光刻胶层以及发光薄膜、第一功能薄膜及封装薄膜中位于光刻胶层远离背板一侧表面的部分，保留发光薄膜、第一功能薄膜及封装薄膜中位于第二开口内的部分。本发明实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置用于图像显示。
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公开(公告)号：CN117038739A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311083737.X
申请日：2023-08-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/08 , H01L27/12 , H10K59/12 , H01L21/336
摘要： 公开一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板，薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的多晶硅有源层，多晶硅有源层包括源极连接区、漏极连接区以及连接在二者之间的沟道区；薄膜晶体管还包括：第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层位于源极连接区远离衬底基板的表面上，第二掺杂层位于漏极连接区远离衬底基板的表面上；第一掺杂层和第二掺杂层的材料均包括含有掺杂离子的非晶硅；源极连接区和漏极连接区中均含有掺杂离子，源极连接区朝向第一掺杂层的表面的掺杂浓度大于源极连接区内部的掺杂浓度，漏极连接区朝向第二掺杂层的表面的掺杂浓度大于漏极连接区内部的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN116670831A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180004247.9
申请日：2021-12-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 一种驱动背板及其制备方法、显示装置，该驱动背板的制备方法包括：提供一衬底基板(1)，在衬底基板(1)的一侧形成连接层(2a)；在连接层(2a)远离衬底基板(1)的一侧形成绝缘层组(3)，并对绝缘层组(3)进行图案化处理形成第一过孔(34)，第一过孔(34)连通至连接层(2a)；在绝缘层组(3)远离衬底基板(1)的一侧形成诱导颗粒(41)；在诱导颗粒(41)以及绝缘层组(3)远离衬底基板(1)的一侧形成掺杂非晶硅层，且掺杂非晶硅层形成在第一过孔(34)内形成第一导体部(51)，第一导体部(51)连接于连接层(2a)，对掺杂非晶硅层进行图案化处理形成原料部(53)，原料部(53)与第一导体部(51)连接；使诱导颗粒(41)诱导原料部(53)形成第一沟道部(54)，第一沟道部(54)与第一导体部(51)连接。
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公开(公告)号：CN115954327A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211567419.6
申请日：2022-12-07
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/265 , H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种半导体结构、显示面板及制备方法。制备方法包括：对半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成缺陷层；沿所述缺陷层将所述半导体衬底表层的半导体薄膜从所述半导体衬底上剥离；在表面固定有所述半导体薄膜的目标衬底上制备半导体结构。通过本发明提供了一种晶粒尺寸更大，载流子迁移率更高的半导体薄膜结构。
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公开(公告)号：CN115732539A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211494395.6
申请日：2022-11-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本公开实施例提供一种薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置。薄膜晶体管包括：第一极，位于基底上侧；第一绝缘层，位于第一极的上侧；凸起结构，位于第一绝缘层上侧，并沿第一方向延伸；有源层，位于凸起结构的上侧，包括第一导体化区域、第二导体化区域以及的沟道，沟道沿第二方向跨越凸起结构，第一导体化区域与第一极连接；第二绝缘层，位于有源层上侧；栅极，位于第二绝缘层的上侧，沟道在基底上的正投影位于栅极在基底上的正投影的范围内；第三绝缘层，位于栅极的上侧；第二极，位于第三绝缘层的上侧，第二极与第二导体化区域连接。本公开的技术方案，可以增加沟道的长度，降低短沟道效应。
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公开(公告)号：CN115425038A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211079316.5
申请日：2022-09-05
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种阵列传感背板、制备方法和光感传感器，包括：基板；PN异质结，所述PN异质结设置于所述基板上，所述PN异质结包括P型掺杂层和氧化物半导体层，所述P型掺杂层和所述氧化物半导体层沿所述基板的厚度方向层叠设置。将P型掺杂层和所述氧化物半导体层在所述基板的厚度方向层叠设置，可以增大整流器件有效结的面积，提高整流效果，使得整流器件达到较好的整流效果。
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公开(公告)号：CN109378298B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201811176158.9
申请日：2018-10-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了显示背板及其制作方法和显示装置。该方法包括在基板的一个表面上形成遮光层；在所述遮光层远离所述基板的一侧形成薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，形成所述薄膜晶体管的有源层的步骤包括：形成半导体层；使所述遮光层产生热量并利用所述热量使所述半导体层晶化。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，效率高、工艺可控、成本较低，可应用于高世代线，且制作所得的显示背板的性能较好。
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公开(公告)号：CN109817731B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201910108010.X
申请日：2019-02-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/20
摘要： 本发明公开一种光电二极管及其制作方法、电子设备，涉及光电转换技术领域，为解决现有的光电二极管的光电转换效率较低的问题。所述光电二极管包括：层叠设置的第一电极层和半导体结构，所述半导体结构背向所述第一电极层的表面具有第一凹凸结构；设置在所述半导体结构背向所述第一电极层的表面的透明电极层，所述透明电极层背向所述第一电极层的表面具有第二凹凸结构。本发明提供的光电二极管用于将光信号转换为电信号。
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