发明公开
CN113497155A 晶体管及其形成方法
审中-实审
- 专利标题： 晶体管及其形成方法
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申请号： CN202110694898.7申请日： 2021-06-23
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公开(公告)号： CN113497155A公开(公告)日： 2021-10-12
- 发明人: 李泓纬 , 马礼修 , 杨世海 , 林佑明
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权： 63/042,583 20200623 US 17/228,534 20210412 US
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/34 ; H01L27/11504 ; H01L27/11509 ; H01L27/11587 ; H01L27/11592 ; H01L27/22 ; H01L27/24
摘要：
薄膜晶体管及其形成方法，薄膜晶体管包括：衬底；字线，设置在衬底上；半导体层，设置在衬底上，半导体层具有源极区域、漏极区域和沟道区域，该沟道区域设置在源极区域和漏极区域之间并且在垂直于衬底的平面的垂直方向上与字线重叠；氢扩散阻挡层，在垂直方向上与沟道区域重叠；栅极介电层，设置在沟道区域和字线之间；以及源电极和漏电极，分别电耦接至源极区域和漏极区域。
IPC分类:
