发明公开
- 专利标题： 用于制造半导体芯片的方法
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申请号： CN202111134840.3申请日： 2017-05-15
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公开(公告)号： CN113991426A公开(公告)日： 2022-01-28
- 发明人: 克里斯托夫·艾希勒 , 安德烈·佐默斯 , 哈拉尔德·柯尼希 , 贝恩哈德·施托耶茨 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 艾尔弗雷德·莱尔
- 申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 申请人地址： 德国雷根斯堡
- 专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 德国雷根斯堡
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 丁永凡; 周涛
- 优先权： 102016108893.5 20160513 DE
- 主分类号： H01S5/22
- IPC分类号： H01S5/22 ; H01S5/30 ; H01L21/20 ; H01L21/268 ; H01L21/3105 ; H01L21/324 ; H01L21/66 ; H01L21/762 ; H01L27/12 ; H01L33/00 ; H01L33/02 ; H01L33/08 ; H01L33/12 ; H01S5/20 ; H01S5/223
摘要：
提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。此外，提出一种半导体芯片(100)。
